FM24CL16B-GTR型号存储芯片产品参数应用数据手册

FM24CL16B-GTR是采用先进铁电工艺的16K位非易失性存储器，铁电随机存取存储器或F-RAM是非易失性的，并且类似于RAM执行读取和写入，它提供了151年的可靠数据保留，同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性、开销和系统级可靠性问题，接下来一起看看FM24CL16B-GTR型号存储芯片的详细介绍：

与EEPROM不同，FM24CL16B以总线速度执行写入操作，没有发生写入延迟。每个字节成功传输到设备后，数据会立即写入内存阵列，下一个总线周期可以在不需要数据轮询的情况下开始。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品提供了实质性的写入耐久性。

F-RAM在写入期间表现出比EEPROM低得多的功率，因为写入操作不需要写入电路的内部提升电源电压，FM24CL16B能够支持1014个读/写周期，即比EEPROM多1亿倍的写周期，这些功能使FM24CL16B成为需要频繁或快速写入的，非易失性存储器应用的理想选择。

例如，从写入周期数可能至关重要的数据日志记录，到EEPROM写入时间过长，可能导致数据丢失的要求苛刻的工业控制，这些功能的结合允许更频繁的数据写入，同时减少系统开销，FM24CL16B为串行（I2C）EEPROM的用户提供了巨大的好处，作为硬件的替代品。

FM24CL16B-GTR是一种串行F-RAM存储器，存储器阵列在逻辑上组织为2048×8位，并使用工业标准I2C接口进行访问，F RAM的功能操作类似于串行（I2C）EEPROM。FM24CL16B和具有相同引脚的串行EEPROM之间的主要区别，在于F-RAM卓越的写入性能、高耐久性和低功耗。

当访问FM24CL16B时，用户寻址2K个位置，每个位置8个数据位，这八个数据位是串行移入或移出的，使用I2C协议访问这些地址，该协议包括从地址（用于区分其他非存储器设备）、行地址和段地址，行地址由8位组成，指定256行中的一行，3位段地址指定每行中8个段开关中的一个，11位的完整地址唯一地指定每个字节的地址。

逻辑框图

产品引脚图

系统配置图

存储器操作的访问时间基本上为零，超过了串行协议所需的时间，也就是说，以I2C总线的速度读取或写入存储器，与串行EEPROM不同，由于写入是以总线速度进行的，因此没有必要轮询设备的区域状况。当一个新的总线事务可以转移到设备中时，写操作就完成了，这将在接口部分进行更详细的解释。

请注意，FM24CL16B除了简单的内部通电复位外，不包含电源管理电路，用户有责任确保VDD在数据表公差范围内，以防止错误操作。

FM24C16B内部具有读取和恢复机制，因此，每个读取或写入周期都应用耐久性周期，存储器体系结构是基于行和列的阵列，每次读取或写入访问都会导致整行的持续周期。

在FM24CL16B-GTR存储芯片中，一行为64位宽，每一个8字节的边界都标志着一个新行的开始，可以通过确保频繁访问的数据位于不同的行来优化持久性，无论如何，在1MHz I2C速度下，FRAM读写持久性实际上是无限的，即使以每秒3000次访问同一行的速度，10年后才会出现1万亿次续航周期。