MPF102前往购买
MPF102场效应管参数_引脚图_开关电路
IC先生 IC先生 151 2024-01-15 15:35:13
MPF102是一种JFET，由于价格低廉，已在许多放大电路中使用。目前，该JFET已不再生产，但市场上有许多克隆产品，以满足其需求。与其最接近的等效器件是NTE457和J113 FET。
另外，市场上提供的克隆FET似乎并未严格遵循PDF数据表。因此，请注意你的设计中使用哪一种。如果你有合适的MPF102 FET，它可以用在前置放大器电路中以实现+12dB或更高的增益。如果你找不到供应商，请考虑使用NTE457，它的价格稍贵，但可用性不会成为问题。
规格参数
功能特点
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通用N沟道结型场效应晶体管
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漏源电压 (VDS) 为25V
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最大漏极电流：20mA
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漏栅电压 (VDG) 为25V
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栅源电压 (VGS) ：-7.5V
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栅极电流 (IG) 为10mA
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采用To-92封装
引脚配置
- Drain电流通过漏极引脚流入
- Source控制FET的偏置
- Gate电流通过漏极流出，通常接地
应用电路
JEFT被认为处于默认状态，即使未提供单个栅极 (0V)，JFET也将允许电流从漏极流向源极。要达到JEFT的最高值，必须向栅极引脚施加负栅极电压，对于 MPF102， 该电压通常应为-7.5V。
上面两张图应显示如何使用MPF102等JFET配置负载（LED）。当栅极引脚接地时，JFET使电流从漏极流向源极，LED点亮。当栅极引脚上使用7.5V电压时，JFET会阻止漏极和源极引脚之间的电流流动并关闭LED。
应用特点
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放大器电路
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前置放大器应用
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音频降噪
封装设计参数
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