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原装DRV5032FBDBZR传感器规格参数及产品功耗信息

小编-niki IC先生 161 2023-05-22 15:12:22

DRV5032FBDBZR器件是一款超低功耗数字开关霍尔效应传感器,专为最紧凑型和电池敏感型系统而设计,该器件提供了多种磁性阈值、采样率、输出驱动器和封装以适配各种应用,当施加的磁通密度超过BOP阈值时,器件会输出低电压,输出会保持低电压,直到磁通密度下降到BRP以下,随后输出将驱动高电压或变成高阻抗,具体取决于器件版本。

DRV5032FBDBZR传感器

通过集成内部振荡器,该器件对磁场进行采样,并以20Hz或5Hz的速率更新输出,以实现最低电流消耗,可提供全极和单极磁响应,此器件在1.65V至5.5V的VCC范围内工作,并采用标准的SOT-23、TO-92和小型X2SON封装。

DRV5032FBDBZR型号传感器的应用:电池关键型位置感应、电表篡改检测、手机、笔记本电脑或平板电脑外壳感应、电子锁、烟雾探测器、医疗设备、物联网系统、阀门或电磁阀位置检测、非接触式诊断或激活等领域。

DRV5032器件对垂直于封装顶部的磁场分量敏感,如下图所示,在该数据表中,从封装底部到顶部的磁通量被认为是正的,当南磁极靠近封装顶部时,就会出现这种情况,从封装顶部到底部的磁通量会产生负毫特斯拉值。

DRV5032FBDBZR灵敏度方向

当DRV5032器件上电时,它会测量第一个磁性样本并设置tON时间内的输出,输出被锁存,器件进入超低功耗睡眠状态,在每个tS时间后,器件会测量一个新的样本,并在必要时更新输出,如果磁场在各周期之间没有变化, 则输出不会改变。

DRV5032FBDBZR器件通常用于检测磁铁的接近程度,磁体通常附在系统中的可移动元件上,推挽式输出可实现极低的系统功耗,因为当输出驱动为高电平或低电平时没有电流泄漏路径,当输出驱动为低电 平时,开漏输出涉及通过外部上拉电阻的泄漏路径。多个器件的开漏输出可以连接在一起形成一个逻辑,在此设置中,如果任何传感器驱动为低电平,共享节点上 的电压就会变低,这允许使用单个 GPIO 来测量传感器阵列。

引脚配置图


DRV5032FBDBZR引脚配置


典型应用图


DRV5032FBDBZR典型应用


在设计数字开关磁感应系统时,用户应考虑三个变量:磁体、感应距离和传感器的阈值,DRV5032器件具有由参数BOP指定的检测阈,为了可靠地激活传感器,磁体必须施加大于最大指定BOP的值。在此类系统中,传感器通常在移动到最近位置前检测到磁体,当磁体远离传感器时,它必须施加小于最小指 定BRP的值才能可靠地释放传感器。

标准的2极磁体在磁极外缘附近产生强垂直磁通分量,而在南北极边界中心附近不会产生垂直磁通,当DRV5032FD低于磁体中心时,它可获得接近0mT的磁通量,并且两个输出都驱动为高电平。

如果带有嵌入式磁体的开关向左或向右移动,传感器会接收到一个北磁场或南磁场,并且OUT1或OUT2驱动为低电平,这提供了3个数字检测状态,理想情况下,磁体的长度应该是每边行进距离的两倍,然后,当开关被推到任一侧时,磁体的外边缘直接位于传感器上方,在那里它会施加最强的垂直磁通分量。

功能框图


DRV5032FBDBZR功能框图


输出类型


DRV5032FBDBZR输出类型


DRV5032FBDBZR传感器由1.65V至5.5V电源供电,必须使用靠近器件的去耦电容器以最小电感提供局部能量,TI 建议使用容值至少为0.1µF的陶瓷电容器。

磁场在没有明显干扰的情况下穿过大多数非铁磁材料,通常的做法是将霍尔效应传感器嵌入塑料或铝制外壳中, 并在外部安装感应磁体,磁场也很容易穿过大多数印刷电路板,这使得将磁体放置在另一侧成为可能。

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