FET驱动器LM5109AMAX/NOPB应用程序电路输出资料

LM5109AMAX/NOPB是一款驱动器产品，LM5109A是性价比高的高压栅极，设计用于驱动高端和同步中的低侧N沟道MOSFET降压或半桥配置，浮动高边驱动器能够在轨道电压升高的情况下工作至90V，输出由独立控制TTL兼容输入阈值。稳健水平换档技术高速运转，同时消耗低功率并提供清洁水平从控制输入逻辑到高侧的转换栅极驱动器，二者均提供欠压锁定低侧和高侧电源导轨，这个器件可用于SOIC和热增强型WSON软件包。

顶部和底部驱动器都包括UVLO保护电路，用于监测电源电压(VDD)和独立的自举电容器电压（VHB–HS），UVLO电路抑制输出，直到电源充足电压可用于开启外部MOSFET，并且内置的UVLO磁滞防止抖动在电源电压变化期间，当电源电压施加到LM5109A的VDD引脚时底部栅极保持低电平，直到VDD超过UVLO阈值（通常约6.7V）自举电容器将仅禁用高侧输出。

电平移位电路是从高侧输入到高侧驱动器级的接口，参考交换节点，电平偏移允许控制以HS引脚为参考的HO输出，以及提供了与低端驱动器的出色延迟匹配。

LM5109AMAX/NOPB的输出级是与动力传动系中的功率MOSFET的接口，高转换速率，低电阻，并且两个输出的高峰值电流能力允许功率MOSFET的有效切换，低侧输出级以VSS为基准，而高侧以HS为基准。

引脚功能图

功能框图

在正常模式下，当VDD和VHB–HS高于UVLO阈值时，输出级为取决于HI和LI引脚的状态，如果输入状态为浮动，则输出HO和LO将为低。为了在高开关频率下操作功率MOSFET，并减少相关的开关损耗，在控制器的PWM输出和功率半导体的栅极之间，采用栅极驱动器设备，此外，当PWM控制器无法直接驱动开关器件的栅极，随着数字电源的出现，这种情况经常出现。

因为来自数字控制器的PWM信号通常是3.3V逻辑信号，不能有效地接通电源转换，需要电平移位电路将3.3V信号升压到栅极驱动电压，以完全接通在功率器件上，并使传导损耗最小化，基于NPN和PNP的传统缓冲驱动电路图腾，柱排列的双极晶体管由于缺乏电平偏移，而被证明不适合数字电源能力。

产品应用图

产品程序图

栅极驱动器有效地结合了电平转换和缓冲驱动功能，门驱动器找到其他需求，例如最大限度地减少高频开关噪声的影响（通过放置高电流驱动器IC物理上靠近电源开关），驱动栅极驱动变压器并控制浮动功率器件栅极，通过移动栅极电荷功率损耗，来减少控制器中的功耗和热应力从控制器到驱动器。

LM5109AMAX/NOPB是高压栅极驱动器，设计用于驱动高侧和低侧N沟道半桥配置、全桥配置或同步降压电路中的MOSFET，漂浮的高侧驱动器能够在高达90 V的电源电压下工作。这允许使用N沟道MOSFET控制采用半桥、全桥、推挽、两开关正向和有源箝位拓扑，输出为独立控制，每个通道由其各自的输入引脚（HI和LI）控制，允许全和独立的灵活性来控制输出的开启和关闭时间。