1P1G125QDCKRG4Q1规格参数_功能特点_典型电路
1P1G125QDCKRG4Q1是一款总线缓冲门，属于SN74LVC1G125-Q1系列，专为1.65V至5.5VVCC运行而设计。该器件是一款具有三态输出的单线驱动器。当输出使能(
1P1G125QDCKRG4Q1 CMOS器件具有高输出驱动，同时在宽VCC工作范围内保持低静态功率耗散。它采用多种封装，包括外形尺寸为1.45mm×1.00mm的小型DRY封装。
规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 德州仪器 | |
| 产品种类: | 缓冲器和线路驱动器 |
| 1个 | |
| 1个 | |
| Non-Inverting | |
| –24mA | |
| 24mA | |
| 10uA | |
| 5.5V | |
| 1.65V | |
| 10uA | |
| –40°C | |
| +125°C | |
| 高度: | 0.9mm |
| 输入信号类型: | Single-Ended |
| 长度: | 2mm |
| 逻辑系列: | LVC |
| 逻辑类型: | True |
| 通道数量: | 1个 |
| 工作电源电压: | 1.8V、2.5V、3.3V、5V |
| 输出类型: | 3-State |
| 传播延迟时间: | 5.1ns at 3.3V，4.1ns at 5V |
| 电源电流—最大值: | 10uA |
| 宽度: | 1.25mm |
| 单位重量: | 20毫克 |
功能特性
- 器件温度1级：–40°C至+125℃环境温度范围
- 器件人体放电模型(HBM)ESD分类等级2
- 器件带电器件模型(CDM)ESD分类等级C5
- 采用具有0.5mm间距的小型1.45mm2封装(DRY)
- 支持5V VCC运行
- 过压容差输入最高可达5.5V
- 支持向下转换到VCC
- 电压为3.3V时，tpd最大值为3.7ns
- 低功耗，ICC最大值为10µA
- 电压为3.3V时，输出驱动为±24mA
- Ioff支持带电插入、局部关断模式和后驱动保护
- 闩锁性能超过100mA，符合JESD78II类规范的要求
引脚功能配置
功能框图
1P1G125QDCKRG4Q1设备包含一个具有输出使能控制的缓冲门设备，并执行布尔函数Y=A。该设备完全指定用于使用Ioff的部分断电应用。Ioff电路禁用输出，防止设备断电时损坏性的电流回流。
为了确保上电或断电期间的高阻抗状态，OE应通过上拉电阻器连接到VCC；电阻器的最小值由驱动器的电流吸收能力来确定。
3.3 V VCC下的TPD跨接温度
25°C时VCC上的TPD
负载电路特性
电压波形及启用禁用时间
典型应用电路
1P1G125QDCKRG4Q1器件是一种高驱动CMOS器件，可以用作具有高输出驱动的输出使能缓冲器，例如LED应用。它可以在3.3 V下产生24 mA的驱动电流，非常适合驱动多个输出，适用于高达100 MHz的高速应用。输入具有5.5V的容差，允许其向下转换为VCC。
布局示例图
当使用多位逻辑器件时，输入永远不应该浮动。在许多情况下，数字逻辑器件的功能或部分功能未被使用；例如当仅使用三输入AND门的两个输入或者仅使用4个缓冲门中的3个时。这种输入引脚不应保持未连接，因为外部连接处的未定义电压导致未定义的操作状态。
下图显示了在任何情况下都必须遵守的规则。数字逻辑器件的所有未使用的输入必须连接到高或低偏置，以防止它们浮动。应应用于任何特定未使用输入的逻辑电平取决于设备的功能。通常，它们将连接到GND或VCC，以更有意义或更方便的为准。
封装设计参数（SC70-5）
应用领域
- 具备汽车应用资格
- 增加数字信号驱动强度
- 重新驱动高达100 MHz的方波信号
- 启用或禁用高阻抗关闭状态的数字信号
总结
1P1G125QDCKRG4Q1属于逻辑门系列，具体为单通道三态缓冲器（Single-Channel Tri-State Buffer）的型号。它是一种数字逻辑器件，用于数据缓冲和信号放大。它具有单个输入通道和单个输出通道，并且具备三态（Tri-State）功能，允许将输出置于高阻态，以实现对总线的多路复用和控制。
1P1G125QDCKRG4Q1器件通常在低电压逻辑家族（LVC，Low-Voltage CMOS）中运作，支持广泛的电源电压范围，适合于低电压和高性能应用。广泛的应用领域以及汽车级别的特性，使其适用于多种电子应用，尤其是在汽车电子领域中具备高可靠性。
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