1P1G125QDCKRQ1前往购买
原装1P1G125QDCKRQ1引脚图_规格参数_示例电路
IC先生 IC先生网 139 2023-07-24 15:17:14
1P1G125QDCKRQ1是一款总线缓冲门，专为1.65V至5.5V VCC运行而设计。该器件器件是一款具有三态输出的单线驱动器。当输出使能(
1P1G125QDCKRQ1 CMOS器件具有高输出驱动，同时在宽VCC工作范围内保持低静态功率耗散。此外，该器件采用多种封装，包括外形尺寸为1.45mm×1.00mm的小型DRY封装。
规格参数
功能特性
-
具有符合AEC-Q100标准的下列特性：
- 器件温度1级：–40°C至+125℃环境温度范围
- 器件人体放电模型 (HBM) ESD分类等级2
- 器件带电器件模型 (CDM) ESD分类等级C5
- 采用具有0.5mm间距的小型1.45mm2封装 (DRY)
- 支持5V VCC运行
- 过压容差输入最高可达5.5V
- 支持向下转换到VCC
- 电压为3.3V时，tpd最大值为3.7ns
- 低功耗，ICC最大值为10µA
- 电压为3.3V时，输出驱动为±24mA
- Ioff 支持带电插入、局部关断模式和后驱动保护
- 闩锁性能超过100mA， 符合JESD 78 II类规范的要求
引脚配置和功能说明
功能框图
SN74LVC1G125-Q1器件包含一个具有输出使能控制的缓冲门器件，并执行布尔函数Y=A。该器件完全指定用于使用Ioff的部分断电应用。Ioff电路禁用输出，防止设备断电时损坏的电流回流。为了确保上电或断电期间的高阻抗状态，OE应通过上拉电阻器连接到VCC；电阻器的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。
3.3 V VCC下的TPD跨接温度
负载电路特性
典型应用电路
SN74LVC1G125-Q1器件是一种高驱动CMOS器件，可以用作具有高输出驱动的输出使能缓冲器，例如LED应用。它可以在3.3V下产生24mA的驱动电流，非常适合驱动多个输出，适用于高达100MHz的高速应用。输入具有5.5V的容差，允许其向下转换为VCC。
应用曲线图
布局示例图
下图显示了在任何情况下都必须遵守的规则。数字逻辑器件的所有未使用的输入必须连接到高或低偏置，以防止它们浮动。应应用于任何特定未使用输入的逻辑电平取决于设备的功能。通常，它们将连接到GND或VCC，以更有意义或更方便的为准。
应用特点
- 符合汽车应用要求
- 增加数字信号驱动强度
- 可转接驱动高达100MHz的方波信号
- 启用或禁用具有高阻抗关闭状态的数字信号
封装设计参数
总结
1P1G125QDCKRQ1缓冲器和线路驱动器属于逻辑门电路的一种，采用CMOS技术。该缓冲器用于将输入信号放大或缓冲，并将其输出到下游电路。主要功能是增强信号的驱动能力，确保信号能够稳定地传递到后续电路，同时减少信号的延迟和失真。
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