CSD25481F4T MOSFET引脚图_功能参数_属性图

CSD25481F4T是一款高性能、低电阻、适合高功率应用的N沟道MOSFET，它在各种功率开关和电源管理设计中被广泛使用，具有优秀的导通和开关特性，有助于提高电路的效率和性能。

该90mΩ、20VP沟道FemtoFET™MOSFET经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间，这项技术能够在替代标准小信号MOSFET的同时将封装尺寸减小至少60%。

规格参数

功能特性

• 超低导通电阻
• 超低Q_g和Q_gd
• 高漏极工作电流
• 超小封装尺寸（0402外壳尺寸）
  • 1mm × 0.6mm
• 超薄型封装
  • 最大厚度为0.36mm
• 集成型 ESD 保护二极管
  • 额定值>4kV人体放电模型 (HBM)
  • 额定值 >2kV充电器件模型 (CDM)
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS

引脚图

瞬态热阻抗特性

饱和特性

导通电阻与栅极-源极电压

典型二极管正向电压

最大安全操作区域

典型封装尺寸

总结

CSD25481F4T是德州仪器是一款 N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），它是一种高性能、低电阻的功率MOSFET，意味着它通过电子流控制电流。

CSD25481F4T具有较低的导通电阻（Rds(on)），这意味着它在导通状态时会产生较小的功耗和热量，从而提高效率。该器件能够承受较高的电流，适合用于高功率应用。

由于其低导通电阻和快速开关特性，CSD25481F4T在高频率开关应用中能够降低开关损耗，从而适用于各种电源管理和功率开关应用，如DC-DC转换器、电源开关、电动汽车充电器、电池管理等。