现货LP2998MRX/NOPB规格参数_功能特性_属性图

LP2998MRX/NOPB线性调节器旨在满足用于终止DDR-SDRAM和DDR2存储器的JEDEC SSTL-2和JEDEC SSTL-18规范。该器件还支持DDR3和DDR3L VTT总线终端，最小V_DDQ为1.35 V。该器件包含一个高速运算放大器，可对负载瞬变提供出色的响应。输出级在提供1.5 A连续电流和应用中高达3 A的暂态峰值的同时，防止击穿，这是DDR-SDRAM端接所需的。

LP2998MRX/NOPB还集成了VSENSE引脚，以提供卓越的负载调节和V_REF输出，作为芯片组和DIMM的参考。该芯片上的另一个功能是有效低位关机(SD)引脚，可提供挂起至RAM(STR)功能。当SD拉低时，V_TT输出将处于三态状态，提供高阻抗输出，但V_REF将保持激活状态。在这种模式下，可以通过较低的静态电流来获得节能优势。

规格参数

功能特性

• Device HBM ESD分类级别H1c
• 结温范围-40°C至125°C
• 1.35 V最小V_DDQ
• 源电流和汇电流低输出电压偏置
• 不需要外部电阻
• 线性拓扑
• 挂起到RAM(STR)功能
• 外部组件数量较少
• 热停机

引脚功能配置

功能框图

LP2998MRX/NOPB是一款线性总线终端调节器，旨在满足SSTL-2和SSTL-18的JEDEC要求。输出VTT能够吸收和提供电流，同时将输出电压调节为等于VDDQ/2。输出级设计用于保持良好的负载调节，同时防止击穿。LP2998MRX/NOPB还包含两个不同的电源轨，将模拟电路与功率输出级分离。这允许使用分轨方式来减少内部功耗。它还允许LP2998MRX/NOPB为DDR3-SDRAM和DDR3L-SDRAM存储器提供端接解决方案。

最大源极电流与AVIN

最大下沉电流与AVIN

典型应用电路

下面显示了几个不同的应用电路，以说明在配置LP2998MRX/NOPB时可能的一些选项。单个电路性能的图表可以在典型特性部分找到。这些曲线说明了AVIN和PVIN的变化如何影响最大输出电流。

DDR-III应用程序

通过单独的VDDQ引脚和内部电阻器分压器，可以在利用DDR-III存储器的应用中使用LP2998。输出级连接至1.5导轨，AVIN引脚可连接至2.2V至5.5V导轨。

SSTL-2应用电路

对于大多数实施SSTL-2端接方案的应用，建议将所有输入导轨连接到2.5V导轨。这提供了功耗与组件计数和选择之间的最佳折衷。该电路的一个示例如下图所示：

布局示例图

• 电源导轨的输入电容器应尽可能靠近PVIN引脚。
• VSENSE应在需要调节的点连接到VTT终端总线。对于主板应用，理想的位置是在终端总线的中心。
• VDDQ可以远程连接到DIMM或芯片组处的VDDQ轨道输入。这为创建参考电压提供了最准确的点。
• 为了改善热性能，应使用过多的顶侧铜来消散封装中的热量。从接地连接到内部接地平面的大量过孔将有所帮助。此外，如果制造标准允许，这些可以位于包装下方。
• 在路由VSENSE迹线时应小心，以避免切换I/O信号时的噪声拾取。位于SENSE附近的0.1µF陶瓷电容器也可用于过滤任何不需要的高频信号。这可能是一个问题，尤其是在使用长SENSE跟踪的情况下。
• 应使用0.01µF或0.1µF陶瓷电容器绕过VREF，以提高性能。该电容器应尽可能靠近VREF引脚。

封装设计参数

主要应用

• DDR1、DDR2、DDR3和DDR3L终端电压
• 娱乐系统
• FPGA
• 工业/医疗PC
• SSTL-18、SSTL-2和SSTL-3终端
• HSTL终端

总结

LP2998MRX/NOPB是一款线性稳压器（LDO）芯片，它被设计用于提供稳定的、低噪音的电压输出，通常用于电子设备中需要稳定电压供应的应用。旨在将输入电压稳定为指定的输出电压。这对于要求恒定电压供应的电路非常重要。

LP2998MRX/NOPB具有低的压差（dropout voltage），这意味着在输入电压接近输出电压时仍能正常工作。该芯片在输出上提供较低的噪声水平，适用于对噪声敏感的应用。在待机或轻负载状态下，它的静态电流消耗较低，有助于延长电池寿命。

此外，LP2998MRX/NOPB 集成了过热保护和电流限制功能，以保护芯片免受过电流和过热的损害。由于它通常采用小型封装，适用于要求紧凑布局的应用。