2SK3878场效应管引脚图_功能参数_代换型号

2SK3878是一款采用TO-3PN封装的高压N沟道MOSFET，这意味着它的导电性是由负电荷携带者（电子）控制的。该场效应管能够向负载提供高达900V的电压，或者可以使用它驱动高达900V的负载。

2SK3878晶体管通常能够承受较高的电压和电流，使其适用于许多功率放大电路和开关电源应用，例如电机、继电器和各种工业电子应用。

此外，2SK3878通常具有非常高的输入阻抗，因此几乎不会对外部电路产生负载，使其适用于许多放大器和信号处理电路。

引脚配置

2SK3878晶体管的引脚配置为“栅极”第一引脚、“漏极”第二引脚和“源极”第三引脚，具体的引脚配置情况如下图所示：

规格参数

• 封装类型：TO-3PN
• 晶体管类型： N沟道MOSFET
• 最大漏源电压：900V
• 最大栅极至源极电压应为：±30V
• 最大连续漏极电流为：9A
• 单脉冲漏极电流：27A
• 最大功耗为：150W
• 最高存储和工作温度应为：-55至+150摄氏度

2SK3878等效和替代的晶体管型号包括：2SK4023、2SK3766、2SK3798、2SK4003、2SK4014、2SK4106、2SK3843、2SK3799。

功能特性

1、RDS(on) 电阻为1.3欧姆

RDS(on) 是指晶体管处于完全导通状态时漏极和源极之间的电阻，因此低导通电阻特性可通过降低功率损耗、减少热量产生、降低压降和开关损耗来提高晶体管的整体效率。

2、快速切换能力

快速开关功能使其非常适合用于快速开关至关重要的应用，例如UPS电路、电机驱动器、开关电源、LED驱动器电路等。

3、简单的驱动要求

简单的驱动要求意味着2SK3878晶体管可以以简单的方式使用最少的基本组件来使用，除非需要特殊电路的其它此类晶体管。

4、漏电流极小

所有晶体管都有一定量的漏电流，但2SK3878在制造时考虑到了这一点，因此它的漏电流非常低。

5、指定雪崩能量

它指定了雪崩能量意味着它能够处理高电压尖峰。

以上这些良好的特性使其成为真正有用且多功能的器件，可用于各种应用，例如电源、电压转换器、设备控制电路和各种通用应用。

应用特点

2SK3878是一种多功能晶体管，它有很多用途，例如可以在任何类型的高压应用、高低压电源、许多不同类型的电压转换器电路使用它、可以用它控制设备的控制电路中，例如如电机、灯和许多其它电路。一些比较常见的应用包括：

• 工业自动化
• 不间断电源 (UPS)
• 照明控制/控制和调暗灯光强度
• 太阳能发电系统
• 脉宽调制应用
• 功率放大
• 汽车电子
• 控制电路
• 电机驱动
• 电源 – 开关模式电源 (SMPS) 和其他电源
• 开关电路
• 电子镇流器
• 直流-直流转换器
• 能源管理
• 电压调节
• 逆变器

安全操作指南

为了获得电路的长期性能，考虑以下安全准则非常重要：

• 请勿将MOSFET使用到其最大限制或绝对最大额定值，并保持至少低于这些值的20%。
• 晶体管的最大漏源电压为900V，因此导出负载应低于720V。
• 最大连续漏电流为9A，因此驱动负载不应超过7.2A。
• 始终为晶体管使用合适的散热器。
• 在高于-55°C且低于150°C的温度下存储或操作MOSFET。

注意事项

使用MOSFET时，首先检查其栅极、漏极和源极引脚。将栅极引脚连接到信号源，漏极应连接到负载，源极引脚应连接到地。此外，为了驱动或打开 MOSFET，施加高于数据表中提到的电压非常重要。正如之前所介绍的，晶体管具有电压尖峰保护能力，但如果你的电路可以产生更多电压尖峰，那么应该使用一些元件进行保护，例如二极管、电阻器或电容器。

漏源电压VDS（V）

栅极-源极电压VGS（V）

矩形脉冲持续时间，t1（s）

无阻尼电感测试电路和波形

封装设计参数

总结

2SK3878是一款多功能MOSFET，可用于多种应用。它通常可以通过施加低电压（通常为负电压）来控制其导电性。当控制电压施加到栅极上时，它可以控制从源极到漏极的电流流动。

2SK3878通常具有低的漏电流，这意味着当不施加控制电压时，其漏电流非常小。所以，该器件广泛用于各种电子设备和电路中，包括功率放大器、开关电源、电压调节器、放大器和其他需要高电压、高电流和高输入阻抗的应用。