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2Sk2611场效应管引脚配置_参数特性_代换型号

IC先生 IC先生 3104 2023-09-07 17:23:12

2SK2611是一款采用TO-3PN晶体管封装的N沟道场效应管,该MOSFET具有相当高的漏源电压,因此可用于各种高压应用或电路当中。

2SK2611晶体管的RDS(on) 电阻为1.2欧姆,并且具有9A的连续漏电流,这是驱动继电器、LED、电机等大量负载的理想电流。此外,2SK2611经过专门设计,具有极低的漏电流,从而增强了其整体性能。

2SK2611

引脚配置

2SK2611晶体管的引脚配置为“栅极”第一引脚、“漏极”第二引脚和“源极”第三引脚,具体的引脚配置情况如下图所示:

引脚配置

规格参数

  • 封装类型:TO-3PN
  • 晶体管类型: N沟道MOSFET
  • 最大漏源电压:900V
  • 最大栅极至源极电压应为:±30V
  • 最大连续漏极电流为:9A
  • 单脉冲漏极电流:27A
  • 最大功耗为:150W
  • 最高存储和工作温度应为:-55至+170摄氏度

2SK2611等效和替代的晶体管型号包括:2SK3843、2SK4003、2SK4106、2SK3766、2SK3799、2SK4023、2SK4014、2SK3798。

应用特点

2SK2611是一种多功能晶体管,它有很多用途,例如可用于低压电源、控制电路、驱动电路等多种应用。一些比较常见的应用包括:

  • 工业自动化

  • 能源管理

  • 直流-直流转换器

  • 汽车电子

  • 逆变器

  • 电机驱动

  • 不间断电源 (UPS)

  • 开关电路

  • 控制电路

  • 太阳能发电系统

  • 开关模式电源 (SMPS) 和其他类型的电源

  • 脉宽调制应用

  • 电压调节

  • 功率放大

  • 照明控制/控制和调暗灯光强度

安全操作指南

为了获得电路的长期性能,考虑以下安全准则非常重要:

  • 请勿将MOSFET使用到其最大限制或绝对最大额定值,并保持至少低于这些值的20%。
  • 晶体管的最大漏源电压为900V,因此导出负载应低于720V。
  • 最大连续漏电流为9A,因此驱动负载不应超过7.2A。
  • 始终为晶体管使用合适的散热器。
  • 在高于-55°C且低于150°C的温度下存储或操作MOSFET。

注意事项

使用MOSFET时,首先检查其栅极、漏极和源极引脚。将栅极引脚连接到信号源,漏极应连接到负载,源极引脚应连接到地。此外,为了驱动或打开 MOSFET,施加高于数据表中提到的电压非常重要。正如之前所介绍的,晶体管具有电压尖峰保护能力,但如果你的电路可以产生更多电压尖峰,那么应该使用一些元件进行保护,例如二极管、电阻器或电容器。

漏极-源极电压VDS(V)

漏极-源极电压VDS(V)

栅极-源极电压VDS(V)

栅极-源极电压VDS(V)

漏极电流ID(A)

漏极电流ID(A)

栅极总电荷

栅极总电荷

测试电路和波形图

测试电路和波形图

封装设计参数(单位:mm)

封装设计参数

总结

2SK2611是一款N沟道场效应管,属于增强模式型,意味着它是一种在栅极上没有施加电压时关闭的MOSFET。它们的对立面是耗尽型 MOSFET,它始终保持打开状态,当我们必须关闭它时,需要在其栅极上施加电压。这些特性使该晶体管成为一种强大的设备。

所以,如果你正在寻找用于开关和驱动应用的高压MOSFET,那么2SK2611可能是一个不错的选择,它在行业内比较受欢迎。

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