2Sk2611场效应管引脚配置_参数特性_代换型号

2SK2611是一款采用TO-3PN晶体管封装的N沟道场效应管，该MOSFET具有相当高的漏源电压，因此可用于各种高压应用或电路当中。

2SK2611晶体管的RDS(on) 电阻为1.2欧姆，并且具有9A的连续漏电流，这是驱动继电器、LED、电机等大量负载的理想电流。此外，2SK2611经过专门设计，具有极低的漏电流，从而增强了其整体性能。

引脚配置

2SK2611晶体管的引脚配置为“栅极”第一引脚、“漏极”第二引脚和“源极”第三引脚，具体的引脚配置情况如下图所示：

规格参数

• 封装类型：TO-3PN
• 晶体管类型： N沟道MOSFET
• 最大漏源电压：900V
• 最大栅极至源极电压应为：±30V
• 最大连续漏极电流为：9A
• 单脉冲漏极电流：27A
• 最大功耗为：150W
• 最高存储和工作温度应为：-55至+170摄氏度

2SK2611等效和替代的晶体管型号包括：2SK3843、2SK4003、2SK4106、2SK3766、2SK3799、2SK4023、2SK4014、2SK3798。

应用特点

2SK2611是一种多功能晶体管，它有很多用途，例如可用于低压电源、控制电路、驱动电路等多种应用。一些比较常见的应用包括：

• 工业自动化

• 能源管理

• 直流-直流转换器

• 汽车电子

• 逆变器

• 电机驱动

• 不间断电源 (UPS)

• 开关电路

• 控制电路

• 太阳能发电系统

• 开关模式电源 (SMPS) 和其他类型的电源

• 脉宽调制应用

• 电压调节

• 功率放大

• 照明控制/控制和调暗灯光强度

安全操作指南

为了获得电路的长期性能，考虑以下安全准则非常重要：

• 请勿将MOSFET使用到其最大限制或绝对最大额定值，并保持至少低于这些值的20%。
• 晶体管的最大漏源电压为900V，因此导出负载应低于720V。
• 最大连续漏电流为9A，因此驱动负载不应超过7.2A。
• 始终为晶体管使用合适的散热器。
• 在高于-55°C且低于150°C的温度下存储或操作MOSFET。

注意事项

使用MOSFET时，首先检查其栅极、漏极和源极引脚。将栅极引脚连接到信号源，漏极应连接到负载，源极引脚应连接到地。此外，为了驱动或打开 MOSFET，施加高于数据表中提到的电压非常重要。正如之前所介绍的，晶体管具有电压尖峰保护能力，但如果你的电路可以产生更多电压尖峰，那么应该使用一些元件进行保护，例如二极管、电阻器或电容器。

漏极-源极电压VDS（V）

栅极-源极电压VDS（V）

漏极电流ID（A）

栅极总电荷

测试电路和波形图

封装设计参数（单位：mm）

总结

2SK2611是一款N沟道场效应管，属于增强模式型，意味着它是一种在栅极上没有施加电压时关闭的MOSFET。它们的对立面是耗尽型 MOSFET，它始终保持打开状态，当我们必须关闭它时，需要在其栅极上施加电压。这些特性使该晶体管成为一种强大的设备。

所以，如果你正在寻找用于开关和驱动应用的高压MOSFET，那么2SK2611可能是一个不错的选择，它在行业内比较受欢迎。