简述雪崩二极管和齐纳二极管的主要区别

击穿二极管是一个两端子电气元件，端子是阳极和阴极。市场上有不同类型的击穿二极管，可用半导体制造，即 Si（硅）和 Ge（锗）。

众所周知，二极管的基本功能是只允许电流沿一个方向流动，而阻止电流反向流动。任何材料（如导体、金属、绝缘体）都可能发生电击穿；半导体材料主要有齐纳和雪崩两种类型击穿。这两者之间的主要区别在于，它们的机理是由于高电场和流动电子与原子的碰撞而发生的。当然，两种故障可以同时发生。

齐纳二极管的定义

齐纳二极管是一种特殊的二极管，该二极管中的电流将沿正向或反向流动。齐纳二极管包括一个单独的重掺杂PN结，旨在在达到特定电压时在反向偏置方向上执行。

齐纳二极管包含用于电流传导的反向击穿电压以及在反向偏压模式下连续工作而不会被粉碎。此外，齐纳二极管的压降将在很宽的电压范围内保持稳定，主要特性之一将使该二极管适合用于电压调节。

关于齐纳击穿

齐纳击穿主要是由于高电场而发生的，当在PN结二极管上施加高电场时，电子开始流过PN结。因此，在反向偏置中扩大了小电流。

当移动的电子增强超过二极管额定容量时，就会发生雪崩击穿破坏结。因此，二极管中的电流流动不完全，二极管不会损坏PN结。但是，雪崩击穿会损坏结。

雪崩二极管的定义

雪崩二极管旨在在特定的反向偏置电压下经历击穿，该二极管结主要是为了避免电流集中而设计的，因此二极管不会因击穿而损坏。

雪崩二极管用作支持阀来控制系统的压力以防止过电压，这个二极管的符号，与齐纳二极管是相似的。

关于雪崩击穿

雪崩击穿是由于反向偏置中的饱和电流而发生的，所以当放大反向电压时，电场会自动增加。如果反向电压和耗尽层的宽度为Va和d，则可以使用公式Ea=Va/d来测量所产生的电场。

这些机制将发生在轻掺杂的PN结中，其中耗尽区有些扩大，掺杂浓度调节击穿电压。雪崩法的温度系数增加，则随着击穿电压的升高，温度系数的幅度也会增加。

雪崩二极管和齐纳二极管的区别之间的区别

雪崩二极管和齐纳二极管的区别之间的区别包括以下几点内容：

• 齐纳击穿可以定义为电子穿过价带的p型材料势垒到达均匀填充的n型材料导带的流动。
• 雪崩击穿是通过施加高电压而使绝缘材料或半导体中的电流或电子流动增加的现象。
• 齐纳二极管的耗尽区很薄，而雪崩区很厚。
• 齐纳二极管的连接没有被破坏，而雪崩被破坏。
• 齐纳二极管的电场强而雪崩二极管较弱。
• 齐纳击穿产生电子，而雪崩击穿产生空穴和电子。

• 齐纳二极管的掺杂很重，而雪崩二极管很低。
• 齐纳二极管的反向电位低，而雪崩电位高。
• 齐纳二极管的温度系数是负的，而雪崩二极管是正的。
• 齐纳二极管的电离是由于电场，而雪崩二极管是碰撞。
• 齐纳二极管的温度系数是负的，而雪崩二极管则是正的。
• 齐纳二极管的击穿电压 (Vz) 与温度成反比（范围从5v到8v），而雪崩二极管则与温度成正比（Vz > 8V）。
• 齐纳二极管击穿后电压保持不变，而雪崩二极管电压发生变化。
• 齐纳击穿VI特性有一个尖锐的曲线，而雪崩击穿没有一个尖锐的曲线。
• 齐纳二极管的击穿电压随着温度升高而降低，而雪崩随着温度升高而升高。

总结

以上就是关于齐纳二极管齐纳雪崩二极管的主要区别，以及齐纳击穿和雪崩击穿原理的内容介绍。从以上内容可以得出结论，根据PN结中掺杂偏压的浓度，一般可以区分两种不同的击穿。每当PN结被高掺杂时，齐纳击穿就会发生，而雪崩击穿会由于PN结的轻掺杂发生。