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LM74910-Q1中文规格_功能图_原装销售
IC先生 网络 111 2023-10-03 09:09:38
LM749x0-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制及过流和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许在发生过流和过压事件时使用 HGATE 控制将负载断开（开/关控制）。该器件具有集成电流检测放大器，可提供具有可调过流和短路阈值的精确电流监控。该器件具有可调节过压切断保护功能。该器件具有睡眠模式，可实现超低静态电流消耗 (6µA)，同时在车辆处于停车状态时为始终开启的负载提供刷新电流。LM749x0-Q1 的最大额定电压为 65V。
LM74910-Q1的特性
- 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
- 器件温度等级 1： –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 功能安全型
- 可提供用于功能安全系统设计的文档
- 3V 至 65V 输入范围
- 反向输入保护低至 –65V
- 在共漏极配置下，可驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
- 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行
- 低反向检测阈值 (-10.5mV)，具有快速关断响应 (0.5µs)
- 20mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
- 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
- 可调过流和短路保护
- 精度为 10% 的模拟电流监视器输出 (IMON)
- 可调节过压和欠压保护
- 2.5µA 低关断电流（EN = 低电平）
- 睡眠模式，电流为 6µA（EN=高电平， SLEEP=低电平）
- 采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求
- 采用节省空间的 24 引脚 VQFN 封装
LM74910-Q1功能图
LM74910-Q1规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| Vin (min) (V) | 3 |
| Vin (max) (V) | 65 |
| 通道数 | 1 |
| 特性 | Adjustable current limit, Analog current monitor, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection, Short circuit protection |
| 智商(类型)(mA) | 0.63 |
| 场效应晶体管 | External back-to-back FET |
| 栅极源(类型)(µA) | 18500 |
| 栅极吸收(类型)(mA) | 2670 |
| 工作温度范围(℃) | -40 to 125 |
| 评级 | Automotive |
| 关断电流(ISD) (mA) (A) | 0.00287 |
| 设备类型 | Ideal diode controller |
| 产品类型 | Ideal diode controller |
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