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TPSI2140-Q1产品参数_功能图_现货出售
IC先生 网络 228 2023-10-03 15:13:56
TPSI2140-Q1 是一款 隔离式固态继电器，专为高电压汽车和工业应用而设计。 TPSI2140-Q1 与 TI 具有高可靠性的电容隔离技术和内部背对背 MOSFET 整合在一起，形成了一款完全集成式解决方案，无需次级侧电源。
该器件的初级侧仅由 9mA 的输入电流供电，并集成了 一个失效防护 EN 引脚，可防止对 VDD 电源反向供电的任何可能性。在大多数应用中，器件的 VDD 引脚应连接到 5V 至 20V 的系统电源，并且器件的 EN 引脚应由逻辑高电平介于 2.1V 至 20V 之间的 GPIO 输出驱动。在其他应用中，VDD 和 EN 引脚可直接由系统电源或 GPIO 输出驱动。 TPSI2140-Q1 的所有控制配置都不需要光继电器解决方案通常所需的其他外部元件，例如电阻器和/或低侧开关。
次级侧都包含背对背 MOSFET，从 S1 至 S2 的关断电压为 ±1.2 kV。 TPSI2140-Q1 MOSFET 的雪崩稳健性和热敏感封装设计使其能够可靠地支持系统级电介质耐压测试 (HiPot)，并且无需任何外部元件即可承受高达 2mA 的直流快速充电器浪涌电流。
TPSI2140-Q1的特性
- 符合汽车应用要求
- AEC-Q100 等级 1：–40°C 至 125°C，T A
- 集成雪崩额定 MOSFET
- 针对过压条件下的可靠性认证进行设计和认证，包括系统级电介质耐压测试 (Hi-Pot)
- I AVA = 2mA（5s 脉冲），1mA（60s 脉冲）
- 1200V 关断电压
- R ON = 130Ω (T J = 25°C)
- T ON，T OFF < 700µs
- 针对过压条件下的可靠性认证进行设计和认证，包括系统级电介质耐压测试 (Hi-Pot)
- 低初级侧电源电流
- 9mA 导通状态电流
- 3.5 µA 关断状态电流
- 功能安全型
- 可帮助进行 ISO 26262 和 IEC 61508 系统设计的 文档
- 稳健可靠的隔离栅：
- 在 1000V RMS/1500V DC 工作电压下预计寿命超过 26 年
- 隔离额定值 V ISO 高达 3750V RMS/5300V DC
- 峰值浪涌 V IOSM 高达 5000V
- ± 100 V/ns CMTI（典型值）
- SOIC 11 引脚 (DWQ) 封装 ，具有宽引脚，可提高热性能
- 爬电距离和间隙 ≥ 8mm（初级-次级）
- 爬电距离和间隙 ≥ 6mm（开关端子之间）
- 安全相关认证
- （计划）DIN VDE V 0884-11:2017-01
- （计划）UL 1577 组件认证计划
TPSI2140-Q1功能图
TPSI2140-Q1规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 耐隔离电压(VISO) (Vrms) | 3750 |
| 场效应晶体管 | Internal |
| 通道数 | 1 |
| 电源电压(min) (V) | 4.5 |
| 电源电压(最大)(V) | 20 |
| Imax (A) | 0.05 |
| 特性 | 2-mA avalanche current, Capacitive isolation |
| TI功能安全类别 | Functional Safety-Capable |
| 工作温度范围(℃) | -40 to 125 |
| 开启时间(enable) (ns) | 70000 |
| 关闭时间(disable) (ns) | 100000 |
| 关断状态漏电流(µA) | 3.5 |
| 评级 | Automotive |
| 隔离评级 | Basic |
| CMTI (min) (kV/µs) | 100 |
| 工作隔离电压(VIOWM) (Vrms) | 1500 |
| 浪涌隔离电压VIOSM (VPK) | 5000 |
| 暂态隔离电压(VPK) | 5300 |
| 漏电(min) (mm) | 8 |
| 间隙(min) (mm) | 8 |
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