L6388ED013TR驱动IC产品中文资料结构引脚图科普

L6388ED013TR型号元器件是一款栅极驱动IC，这款器件用 BCD“离线”制造技术。它有一个驱动器结构，可以驱动独立参考 N 沟道功率 MOS或 IGBT，高端（浮动）部分是能够与高达 600V 的电压轨一起工作，逻辑输入是CMOS / TTL兼容易于与控制设备连接。

输入逻辑配有联锁电路，可避免两个输出（LVG、HVG）当两个逻辑输入引脚（LIN、HIN）都处于高逻辑状态时同时处于活动状态等级。 此外，为了防止外部 MOSFET 的交叉传导，每次输出后关闭另一个输出在一定时间（DT）之前不能打开。接下来为大家介绍L6388ED013TR型号栅极驱动IC的规格参数等产品信息：

规格参数

结构框图

引脚图

驱动程序图

为了选择合适的 CBOOT 值，外部 MOS 可以看作是等效的电容器。该电容 CEXT 与 MOS 总栅极电荷有关：电容器 CEXT 和 CBOOT 之间的比率与周期性电压损耗成正比。它一定要是：CBOOT>>>CEXT，例如：如果 Qgate 为 30nC，Vgate 为 10V，则 CEXT 为 3nF。当 CBOOT = 100nF 时，下降将是300毫伏，如果 HVG 必须长时间供电，CBOOT 选择也必须考虑泄漏损失。

例如：HVG 稳态消耗低于 200µA，所以如果 HVG TON 为 5ms，CBOOT 有提供 1μC 到 CEXT ，1µF 电容器上的电荷意味着 1V 的电压降。这种结构只有在 VOUT 接近 GND（或更低）时才能工作，同时LVG 开启。 CBOOT 的充电时间（Tcharge）是两个条件都满足的时间满足，并且它必须足够长才能为电容器充电。由于 DMOS RDSON（典型值：125Ω），在低频下，这个下降可以忽略不计。

驱动IC的基本任务，就是将信息电子电路传来的信号按照其控制目标的要求，转换为加在电力电子器件控制端和公共端之间，可以使其开通或关断的信号。对半控型器件只需提供开通控制信号，对全控型器件则既要提供开通控制信号，又要提供关断控制信号，以保证器件按要求可靠导通或关断。

以上就是L6388ED013TR型号驱动IC的产品信息介绍，如果您需要采购这款元器件，请联系我们，或者点击此链接查看产品售价、库存等情况：https://www.mrchip.cn/mall/L6388ED013TR，如果觉得本文对您有所帮助，请持续关注“IC先生”网站以及“IC先生”微信公众号。