BSS138LT1G N通道MOSFET规格参数及主要传输特性
IC先生 IC先生 1346 2022-07-05 17:29:04
BSS138LT1G是N通道MOSFET器件,典型的应用为DC−DC转换器,便携式和电池、电脑、打印机、PCMCIA卡、蜂窝电话和无绳电话等动力产品中的电源管理。
BSS138LT1G器件低阈值电压 VGS (th) =0.5~1.5V,微型SOT-23表面安装封装,这样可以节省电路板空间。工作温度范围: -55°C到150°C。
BSS138LT1G产品属性
产品属性 | 属性值 |
---|---|
MOSFET | |
贴片/贴片 | |
N通道 | |
1个频道 | |
50伏 | |
200毫安 | |
3.5欧姆 | |
–20伏,+20伏 | |
850毫伏 | |
– 55摄氏度 | |
+150摄氏度 | |
225兆瓦 | |
增强型 | |
正向跨导 – 最小值: | 100毫秒 |
高度: | 0.94毫米 |
长度: | 2.9毫米 |
产品: | MOSFET小信号 |
子类别: | MOSFET |
晶体管类型: | 1个N通道 |
典型关闭延迟时间: | 20纳秒 |
典型接通延迟时间: | 20纳秒 |
宽度: | 1.3毫米 |
单位重量: | 8毫克 |
BSS138LT1G主要特点
- 低阈值电压(VGS(th):0.85 V−1.5 V),非常适合低电压应用。
- 微型SOT−23表面贴装封装节省了电路板空间。
- BVSS前缀,用于需要独特现场和控制变更要求的汽车和其他应用;AEC−Q101合格且具备PPAP能力。
- 这些设备是Pb−无卤、无卤素/BFR,符合RoHS标准。
BSS138LT1G Pin脚图
BSS138LT1G框图
BSS138LT1G传输特性
BSS138LT1G阈值电压与温度关系
BSS138LT1G上拉电阻与漏电流的关系
BSS138LT1G安全操作区域
BSS138LT1G封装尺寸图
总结
以上就是关于BSS138LT1G N通道MOSFET器件的主要规格参数情况,该器件是一款非常不错的通道场效应晶体管,其应用范围也是非常的广泛,有兴趣的朋友可以了解下。
最后,如果购买或者了解更多BSS138LT1G器件相关参数,可以访问https://www.mrchip.cn/mall/BSS138LT1G。
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晶体管
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