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TS3DDR4000产品参数_产品特征_原装原厂

IC先生 网络 200 2023-10-10 13:46:44

TS3DDR4000 是一款 1:2 或 2:1 高速 DDR2/DDR3/DDR4 开关,可实现 12 位宽总线切换。该器件可针对所有位同时将 A 端口切换为 B 或 C 端口。TS3DDR4000 设计用于 DDR2、DDR3 和 DDR4 存储器总线系统,并且采用一种专有架构,可提供高带宽(单端 5.6GHz 下的带宽为 -3dB)、低频下的低插入损耗以及超低传播延迟等诸多优势。TS3DDR4000 兼容 1.8V 逻辑,并且所有开关均为双向开关,提高了设计灵活性。此外,TS3DDR4000 还具有低功耗模式。在此模式下,所有通道均呈高阻态且器件功耗最低。


TS3DDR4000


TS3DDR4000的特性

  • 宽 VDD 范围:2.375V 至 3.6V
  • 高带宽:5.6GHz(单端典型值);6.0GHz(差分典型值)
  • 低开关导通电阻 (RON):8Ω(典型值)
  • 低位间偏差:3ps(典型值);所有通道的最大值为 6ps
  • 低串扰:1067MHz 下的典型值为 –34dB
  • 低工作电流:40µA(典型值)
  • 具有低功耗模式,电流消耗极低:2µA(典型值)
  • IOFF保护防止断电状态 (VCC = 0V) 下的电流泄漏
  • 支持 POD_12、SSTL_12、SSTL_15 和 SSTL_18 信令
  • 静电放电 (ESD) 性能:
    • 3kV 人体放电模式(A114B,II 类)
    • 1kV 组件充电模式 (C101)
  • 8mm x 3mm 48 焊球 0.65mm 间距 ZBA 封装

TS3DDR4000功能图

TS3DDR4000


TS3DDR4000规格参数

产品属性属性值
协议DDR2, DDR3, DDR4, MIPI
配置2:1 SPDT
通道数12
电源电压(最大)(V)3.6
电源电压(min) (V)2.375
罗恩(打字)(mΩ)8300
输入/输出电压(min) (V)0
输入/输出电压(最大)(V)3.3
电源电流(类型)(µA)40
ESD HBM(类型)(kV)3
工作温度范围(℃)-40 to 85
串音(dB)-68
COFF(类型)(pF)1
CON (type) (pF)0.5
关闭隔离(类型)(dB)-34
关断状态漏电流(最大)(µA)5
罗恩(最大)(mΩ)11200
罗恩通道匹配(最大)(Ω)1
RON平面度(类型)(Ω)0.6
关闭时间(disable) (max) (ns)65
开启时间(enable) (max) (ns)65
VIH (min) (V)1.4
VIL (max) (V)0.5
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