正品在售STD35P6LLF6型号晶体管产品规格参数示意图

STD35P6LLF6型号元器件属于晶体管类别，晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET），STD35P6LLF6型号元器件是场效应管，该器件是一个 P 沟道功率 MOSFET使用 STripFET™ F6 技术开发，采用新的沟槽栅结构。接下来为大家介绍STD35P6LLF6型号场效应管这款电子元器件的产品规格及相关图片信息。

规格参数

内部示意图

测试电路图

包装信息图

晶体管是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。

场效应晶体管是利用场效应原理工作的晶体管，英文简称FET。场效应就是改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小，以控制半导体导电层（沟道）中多数载流子的密度或类型。它是由电压调制沟道中的电流，其工作电流是由半导体中的多数载流子输运，这类只有一种极性载流子参加导电的晶体管又称单极型晶体管。

与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声小、极限频率高、功耗小，制造工艺简单、温度特性好等特点，广泛应用于各种放大电路、数字电路和微波电路等。以硅材料为基础的金属氧化物半导体场效应管和以砷化镓材料为基础的肖特基势垒栅场效应管是两种最重要的场效应晶体管，分别为MOS大规模集成电路和MES超高速集成电路的基础器件。

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