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TPS7A8001DRBR低压差线性稳压器数据表及曲线特性图

IC先生 IC先生 610 2022-07-18 17:12:41

TPS7A8001DRBR低压差线性稳压器 (LDO) 在输出端提供非常高的电源纹波抑制 (PSRR),并采用先进的BiCMOS工艺和PMOSFET传输器件,可实现极低的噪声、出色的瞬态响应和出色的PSRR性能。

TPS7A8001DRBR通过4.7µF陶瓷输出电容器保持稳定,并使用精密电压基准和反馈环路在所有负载、线路、工艺和温度变化下实现3%的最坏情况精度。此外,该器件在TJ=–40°C至+125°C的温度范围内具有完整规格,并采用带散热垫的3mm×3mm VSON-8封装。

TPS7A8001DRBR

产品属性

产品属性 属性值
1A
1个输出
Positive
0.8V
6.5V
可调节的
–40摄氏度
+125摄氏度
170毫伏
开发套件: TPS7A8001DRBEVM
回动电压—最大值: 500毫伏
负载调节: 2微伏/毫安
湿度敏感性:
工作电源电流: 60微安
输出电压范围: 800毫伏至6伏
子类别: PMIC–电源管理IC
单位重量: 24毫克

主要特点

  • 具有使能功能的低压差1A稳压器
  • 可调输出电压:0.8V至6V
  • 固定输出电压:0.8V至6V
  • 宽带宽高PSRR:1kHz时为63dB、100kHz时为57dB、1MHz时为38dB。
  • 低噪声:(14 × V OUT ) µV rms典型值(100Hz至100kHz)
  • 使用4.7µF陶瓷电容器保持稳定
  • 出色的负载/线路瞬态响应
  • 3%整体准确度(过载/线路/温度)
  • 过流和过热保护
  • 非常低压差:1A时典型值为170mV
  • 3mm×3mm VSON-8 DRB封装

Pin脚配置图

Pin脚配置图

框图

框图

应用曲线

应用曲线图

典型应用示例电路图

典型应用示例电路图

布局示例图

布局示例图

封装设计尺寸图

封装设计尺寸图

总结

TPS7A8001DRBR属于新一代LDO稳压器系列,该系列使用创新电路实现宽带和高环路增益,从而产生极高的PSRR(在1-MHz范围内),甚至具有非常低的净空(VIN–VOUT)。NR引脚处的降噪电容器(CNR)和旁路电容器(CBYPASS)降低了带隙基准产生的噪声,以提高峰值抑制比,而快速启动电路对降噪电容器快速充电。

TPS7A8001DRBR稳压器提供子带隙输出电压、电流限制和热保护,可应用于电信基础设施、音频、高速I/F(PLL/VCO),运行效率非常高。

如果需要购买或者查看更多TPS7A8001DRBR参数信息,可以访问https://www.mrchip.cn/mall/TPS7A8001DRBR

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