SQ7415AEN-T1_GE3前往购买
SQ7415AEN-T1_GE3 MOSFET规格参数及原理特性图
IC先生 IC先生 446 2022-08-24 18:05:09
SQ7415AEN-T1_GE3是一款MOSFET器件，主要用于开关应用，具有约1MΩ的管芯导通电阻以及处理85A的能力，并采用先进的PowerPAK封装技术。
通过最小化结到脚的热阻，SQ7415AEN-T1_GE3 MOSFET管芯温度非常接近PC板的温度。考虑安装在板温度为45°C的PC板上的四个设备，所以非常适合空间受限的应用。
规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 威世 | |
| MOSFET | |
| 贴片/贴片 | |
| PowerPAK-1212-8 | |
| P通道 | |
| 1个 | |
| 60伏 | |
| 16个 | |
| 65毫欧 | |
| – 20伏，+20伏 | |
| 2.5V | |
| 25.5摄氏度 | |
| –55摄氏度 | |
| +175摄氏度 | |
| 53瓦 | |
| 增强 | |
| 卷轴、切割胶带 | |
| 下降时间: | 8纳秒 |
| 高度: | 1.04毫米 |
| 长度: | 3.3毫米 |
| 上升时间: | 9纳秒 |
| 晶体管类型: | 1个P通道 |
| 典型关闭延迟时间: | 37纳秒 |
| 典型接通延迟时间: | 9纳秒 |
| 宽度: | 3.3毫米 |
| 单位重量: | 1克 |
主要特征
- TrenchFET®功率MOSFET
- PowerPAK®软件包：-低热阻，RthJC、-低1.07毫米剖面
- AEC-Q101合格
- 100%Rg和UIS测试
P沟道MOSFET配置
导通电阻与结温特性
输出特性图
输入特性图
安全操作区域
封装设计尺寸参数
总结
SQ7415AEN-T1_GE3是一款非常不错的MOSFET器件，而且采用PowerPAK封装，特别适合小尺寸封装应用，可以设计进行PC板布局，其应用范围是非常的广泛。
如果想采购SQ7415AEN-T1_GE3器件，或者了解更多PDF文档，可以访问https://www.mrchip.cn/mall/SQ7415AEN-T1_GE3。
热点资讯
推荐商品
猜你想看
版权声明：
部分文章信息来源于网络以及网友投稿，本网站只负责对文章进行整理、排版、编辑，是出于传递更多信息之目的，并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性，如本站文章和转稿涉及版权等问题，请作者及时联系本站，我们会尽快处理。
文章标签:
MOSFET
热点资讯
