ASML首席技术官认为当前光刻技术或走到尽头！

近年来，ASML站到了世界半导体技术的中心位置，去年ASML两次提高了生产目标，希望到2025年，其年出货量能达到约600台DUV（深紫外光）光刻机以及90台EUV（极紫外光）光刻机。由于持续的芯片短缺，交付问题每天都在发生，而且ASML还遇到了柏林工厂火灾这样的意外。

日前，ASML的首席技术官Martin van den Brink接受了Bits & Chips的采访，ASML首席技术官认为当前光刻技术或走到尽头！

据Martin van den Brink介绍，开发High-NA EUV技术的最大挑战是为EUV光学器件构建计量工具，配备的反射镜尺寸为此前产品的两倍，同时需要将其平整度控制在20皮米内。这种需要在一个“可以容纳半个公司”的真空容器中进行验证，其位于蔡司公司，这是ASML推进High-NA EUV技术的关键光学合作伙伴，是后来加入的。

目前ASML有序地执行其路线图，且进展顺利，在EUV之后是High-NA EUV技术，ASML正在为客户交付首台High-NA EUV光刻机做准备，大概会在明年某个时间点完成。虽然供应链问题仍可能打乱ASML的时间表，不过应该问题不大。High-NA EUV光刻机会比现有的EUV光刻机更为耗电，从1.5兆瓦增加到2兆瓦。主要原因是因为光源，High-NA使用了相同的光源需要额外0.5兆瓦，ASML还使用水冷铜线为其供电。

Martin van den Brink证实，ASML正在对此进行研究，不过个人而言，怀疑Hyper-NA将是最后一个NA，而且不一定能真正投入生产，这意味经过数十年的光刻技术创新，我们可能会走到当前半导体光刻技术之路的尽头。ASML进行Hyper-NA研究计划的主要目标是提出智能解决方案，使技术在成本和可制造性方面保持可控。

Martin van den Brink不希望制造更为庞大的“怪物”，预计hyper-NA可能是接下来半导体光刻技术发展会出现问题的地方，其制造和使用成本都会高得惊人，如果采用Hyper-NA技术的制造成本增长速度和目前High-NA EUV技术一样，那么经济层面几乎是不可行的。就目前而言，Martin van den Brink希望可以克服的是成本问题。

由于可能存在无法克服的成本限制，晶体管缩小速度正在放缓。多亏了系统集成的发展，继续开发新一代芯片仍然是值得的，这是个好消息，在这点上，问题变得非常现实：哪些芯片结构太小，无法经济地制造？

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