元器件科普 | 场效应管和mos管的区别有哪些？

我们在搜索场效应管的时候，经常可以看到mos管相关的话题，由此小编就有疑问了，这两种元器件有什么关系？网上甚至有种说法：场效应管和mos管就是一种东西。这种说法当然是不够准确的，本文就为您详细科普场效应管和mos管的区别。

场效应管

场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名，由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。

场效应管是常见的电子元件，属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。

场效应管的功能也有很多，场效应管可应用于放大，由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换，常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管可以用作可变电阻，可以方便地用作恒流源，可以用作电子开关……

mos管

mos管是金属（metal）-氧化物（oxide）-半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体（insulator）-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区，在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。

考察一个更简单的器件——MOS电容，能更好的理解MOS管，MOS电容的特性能被用来形成MOS管。Gate，电介质和backgate保持原样，在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域，其中一个称为source，另一个称为drain，假设source 和backgate都接地，drain接正电压。

只要GATE对BACKGATE的电压仍旧小于阈值电压，就不会形成channel，Drain和backgate之间的PN结反向偏置，所以只有很小的电流从drain流向backgate。如果GATE电压超过了阈值电压，在GATE电介质下就出现了channel，这个channel就像一薄层短接drain和source的N型硅，由电子组成的电流从source通过channel流到drain。总的来说，只有在gate 对source电压V 超过阈值电压Vt时，才会有drain电流。

在对称的MOS管中，对source和drain的标注有一点任意性，定义上，载流子流出source，流入drain，因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。有时晶体管上的偏置电压是不定的，两个引线端就会互相对换角色，这种情况下，电路设计师必须指定一个是drain另一个是source。

场效应管和mos管有什么关系

场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类，现在主要使用MOS场效应管，即通常所称的MOS管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型、P沟耗尽型和增强型四大类。

MOS是金属（Metal）-氧化物（Oxide）-半导体（Semiconductor）的简称，即栅-二氧化硅-硅。JFET中的J代表Junction，即“结”，表示PN结的结，FET代表Field Effect Transistor，即场效应管。

场效应管和mos管的区别

一、主体不同

场效应管：V型槽MOS场效应管，是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。

MOS管：金属-氧化物-半导体型场效应管属于绝缘栅型。

二、特性不同

场效应管：不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高（最高可耐压1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。

MOS管：主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。

三、规则不同

场效应管：将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。

MOS管：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。

以上就是场效应管和mos管的科普介绍，以及二者的区别介绍，如果觉得本文对您有所帮助，请持续关注“IC先生”网站以及“IC先生”微信公众号，我们将给您带来更多新闻资讯和知识科普！