IRFH5300TRPBF前往购买
IRFH5300TRPBF MOSFET晶体管原装规格参数及特性图
IC先生 IC先生 327 2022-10-20 17:59:23
IRFH5300TRPBF是一款强IRFET™功率MOSFET晶体管，它针对低RDS（开启）和高电流能力进行了优化，其整体性能非常的优越，应用广泛。
IRFH5300TRPBF器件非常适合需要性能和坚固性的低频应用。综合产品组合涵盖广泛的应用领域，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和DC-DC转换器。其工作温度范围为-55°C~+150°C。
规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 英飞凌 | |
| 产品种类: | MOSFET |
| 贴片/贴片 | |
| PQFN-8 | |
| N通道 | |
| 1个 | |
| 30伏 | |
| 100安 | |
| 1.4毫欧 | |
| – 20伏，+ 20伏 | |
| 1.8伏 | |
| 120nC | |
| –55摄氏度 | |
| +150摄氏度 | |
| 3.6瓦 | |
| 增强 | |
| 卷轴、切割胶带 | |
| 下降时间: | 13纳秒 |
| 正向跨导 – 最小值: | 190秒 |
| 高度: | 0.83毫米 |
| 长度: | 6毫米 |
| 上升时间: | 30纳秒 |
| 子类别: | MOSFET |
| 晶体管类型: | 1个N通道 |
| 典型关闭延迟时间: | 31纳秒 |
| 典型接通延迟时间: | 26纳秒 |
| 宽度: | 5毫米 |
| 单位重量: | 122.136毫克 |
功能特点
- 低RDSon（<1.4 mΩ）
- PCB的低热阻（<0.5°C/W）
- 100%Rg测试
- 低轮廓（<0.9mm）
- 行业标准引脚
- 与现有SMD安装技术兼容
- 符合RoHS标准，不含铅、溴和卤素
- MSL1，行业资质
Pin脚配置图
典型传输特性
典型电容与漏极-源极电压
典型栅电荷与栅源电压
最大安全操作区域
阈值电压与温度特性
最大有效瞬态热阻抗，结到外壳（底部）
最大雪崩能量与漏电流特性
开路电感测试电路
切换时间测试电路
栅极充电测试电路
封装设计尺寸参数
总结
IRFH5300TRPBF是一款比较不错的功率MOSFET晶体管，其应用范围也是非常的广泛，可应用于在冲击电流下对12V（典型）母线的MOSFET进行OR运算、电池驱动直流电机逆变器MOSFET等。
如果需要采购IRFH5300TRPBF器件，或者查看更多PDF文档内容，可以访问https://www.mrchip.cn/mall/IRFH5300TRPBF。
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