俄罗斯一家研究所表示 六年后将造出7nm光刻机！

一家俄罗斯研究所正在开发自己的光刻扫描仪，可以使用7纳米级制造技术生产芯片，该机器正在开发中，计划到2028年建造。当它准备就绪时，它应该比ASML的Twinscan NXT：2000i工具更有效率，该工具的开发耗时了十多年。

在俄罗斯于 2 月 24 日与乌克兰发生冲突后，台湾迅速禁止向该国运送先进芯片，美国、英国和欧盟随后采取了制裁措施，这实际上禁止了几乎所有拥有先进晶圆厂的合同芯片制造商与俄罗斯实体合作，此外，像 Arm 这样的公司不能将他们的技术授权给俄罗斯的芯片设计师。因此，俄罗斯政府推出了一项国家计划，到2030年开发该国自己的 28nm 级制造技术，对尽可能多的外国芯片进行逆向工程，并培养当地人才从事国产芯片工作。

然而，到 2030 年，28nm 级的生产节点生产还存在问题，因为俄罗斯最先进的晶圆厂只可以使用 65nm 制造技术生产芯片。同时，由于制裁，美国和欧洲的晶圆厂工具制造商无法向俄罗斯提供设备，因此该国要想采用 28nm 节点，就必须设计和建造国产晶圆生产设备。换而言之，像 ASML 和 Applied Materials 这样的公司花了几十年的时间来开发和迭代的产品，俄罗斯必须在大约八年内完成。

显然，根据下诺夫哥罗德战略发展 网站（通过 CNews） 发布的计划，俄罗斯科学院俄罗斯应用物理研究所打算超越所有人的预期，到 2028 年生产出具有 7nm 能力的光刻扫描仪 。

能够使用 7nm 级工艺技术处理晶圆的现代光刻扫描仪是一种高度复杂的设备，它涉及高性能光源、精密光学和精确计量，仅举几个关键部件，然而，作为俄罗斯领先的应用物理大学，IAP 相信它可以在相对较短的时间内开发出这样一个工具。

该工具将与 ASML 或尼康等公司生产的扫描仪有所不同，例如，IAP 计划使用大于 600W 的光源（总功率，不是中焦功率），曝光波长为 11.3nm（EUV 波长为 13.5nm），这将需要比现在更复杂的光学器件。由于该设备的光源功率相对较低，这将使工具更紧凑，更易于构建，然而，这也意味着其扫描仪的产量将大大低于现代深紫外（DUV）工具的产量，根据 IAP 的说法，这可能不是问题。

以上就是本文的全部内容，如果觉得本文对您有所帮助，请持续关注“IC先生”网站以及“IC先生”微信公众号，我们将给您带来更多新闻资讯和知识科普！