BUL216型号三极管规格数据表、产品原理图电路图介绍

BUL216型号三极管使用高压制造多外延Mesa技术，具有成本效益高性能，它使用空心发射器结构以提高切换速度，BUL系列设计可以用于照明应用和低成本开关电源供应。在了解BUL216型号三极管这款元器件的产品信息之前，先来为大家简单科普三极管的基本信息。

三极管， 也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件，其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

晶体管促进并带来了"固态革命"，进而推动了全球范围内的半导体电子工业，作为主要部件，它及时、普遍地首先在通讯工具方面得到应用，并产生了巨大的经济效益。由于晶体管彻底改变了电子线路的结构，集成电路以及大规模集成电路应运而生，这样制造像高速电子计算机之类的高精密装置就变成了现实。

三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件，三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

接下来一起看看BUL216型号三极管的产品规格参数、原理图、电路图等信息：

规格参数

测试电路图

机械数据表

晶体管工作原理

晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，其中，N是负极的意思，代表英文中Negative，N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正极的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电。

在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电子流。下图是BUL216型号三极管的内部原理图：

以上就是BUL216型号三极管的产品介绍，如果您需要采购这款元器件，请及时联系我们，这款元器件的时效期限还有6天。如果觉得本文对您有所帮助，请持续关注“IC先生”网站以及“IC先生”微信公众号，我们将给您带来更多新闻资讯和知识科普！