首页 > 晶体管> IAUC100N04S6L020
名称 参数
产品分类 半场晶体管(MOSFET)
包装 PG-TDSON-8
技术 OptiMOS™-6
极性 N
V DS最大值 40.0V
(@25°C)最大 100.0A
V GS (th)分钟 1.2V
最大最小V GS 1.2V
V GS (th)最大值 2.0V
Q G(typ @10V)最大 34.0nC
R DS (on)(@10V)最大 2.0mΩ
最大最小工作温度 -55.0°C
IAUC100N04S6L020数据手册
0 购物车
0 消息