名称 | 参数 |
---|---|
产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
包装 | PG-TDSON-8 |
技术 | OptiMOS™-6 |
极性 | N |
V DS最大值 | 40.0V |
(@25°C)最大 | 100.0A |
V GS (th)分钟 | 2.2V |
最大最小V GS | 2.2V |
V GS (th)最大值 | 3.0V |
Q G(typ @10V)最大 | 29.0nC |
R DS (on)(@10V)最大 | 2.2mΩ |
最大最小工作温度 | -55.0°C |
IAUC100N04S6N022数据手册
名称 | 参数 |
---|---|
产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
包装 | PG-TDSON-8 |
技术 | OptiMOS™-6 |
极性 | N |
V DS最大值 | 40.0V |
(@25°C)最大 | 100.0A |
V GS (th)分钟 | 2.2V |
最大最小V GS | 2.2V |
V GS (th)最大值 | 3.0V |
Q G(typ @10V)最大 | 29.0nC |
R DS (on)(@10V)最大 | 2.2mΩ |
最大最小工作温度 | -55.0°C |