首页 > 晶体管> IAUC100N10S5N040
名称 参数
产品分类 半场晶体管(MOSFET)
包装 single SS08 (PG-TDSON-8)
技术 OptiMOS™-5
极性 N
V DS最大值 100.0V
(@25°C)最大 100.0A
R thJC最大值 0.9K/W
V GS (th)分钟 2.2V
I Dpuls最大值 400.0A
P合计马克斯 167.0W
V GS (th)最大值 3.8V
Q G(typ @10V)最大 60.0nC
R DS (on)(@10V)最大 4.0mΩ
IAUC100N10S5N040数据手册
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