首页 > 晶体管> IAUC120N04S6N006
名称 参数
产品分类 半场晶体管(MOSFET)
包装 PG-TDSON-8
技术 OptiMOS™-6
极性 N
V DS最大值 40.0V
(@25°C)最大 120.0A
V GS (th)分钟 2.2V
V GS (th)最大值 3.0V
Q G(typ @10V)最大 116.0nC
R DS (on)(@10V)最大 0.6mΩ
最大最小工作温度 -55.0°C
IAUC120N04S6N006数据手册
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