半场晶体管(MOSFET)
IMBG120R060M1H
品种：
晶体管
种类：半场晶体管(MOSFET)
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| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
| Q G | 34.0 |
| Q gd | 7.3 |
| C oss | 53.0 |
| 包装 | TO-263-7 |
| 极性 | N |
| 资格 | Industrial |
| 销数 | 7.0 |
| T j最大值 | 175.0°C |
| V DS最大值 | 1200.0V |
| (@25°C)最大 | 36.0A |
| R thJA最大值 | 62.0K/W |
| R thJC最大值 | 0.83K/W |
| 越来越多的 | SMD |
| C工业标准规格 | 1145.0 |
| rds (on)(@ Tj = 25℃) | 60.0 |
| P tot(@ T A=25°C)最大 | 181.0W |
| 最大最小工作温度 | -55.0°C |
IMBG120R060M1H数据手册
