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TLE2064M产品规格_产品特性_现货出售
IC先生 网络 33 2023-11-14 12:33:49
TLE206x系列低功耗jfet输入运算放大器的带宽是上一代TL06x和TL03x系列的两倍，而功耗却没有显著增加。德州仪器Excalibur工艺也提供比TL06x和TL03x更低的噪声底。片上齐纳校正偏置电压产生精度等级的直流耦合应用。TL206x器件引脚兼容其他TI位管;。
biet运算放大器提供了jfet输入晶体管固有的更高的输入阻抗，而不会牺牲与双极放大器相关的输出驱动。这使得它们更适合与高阻抗传感器或非常低电平的交流信号接口。它们还具有比功耗相当的双极或CMOS器件更好的交流响应特性。TLE206x系列具有高输出驱动电路，能够在低至±5 V的电源下驱动100个负载。这使得它们非常适合在调制解调器和其他需要良好交流特性，低功率和高输出驱动的应用中驱动变压器负载。
由于BiFET运算放大器设计用于双电源，因此在单电源工作时必须注意观察共模输入电压限制和输出摆幅。输入信号的直流偏置是必需的，负载应该被终止到中间电源的虚拟地节点。德州仪器TLE2426集成虚拟地发生器在操作单电源的BiFET放大器时非常有用。
TLE206x具有±15v和±5v的完全规格。对于低电压和/或单电源系统的操作，推荐使用德州仪器的LinCMOS系列运算放大器(TLC-和tlv前缀)。当从BiFET转换到CMOS放大器时，应特别注意转换速率和带宽要求以及输出负载。德州仪器的TLV2432和TLV2442 CMOS运算放大器是很好的选择。
- 2× Bandwidth (2 MHz) of the TL06x and TL03x Operational Amplifiers
- Low Supply Current ... 290 µA/Ch Typ
- 片上偏置电压微调提高直流性能
- 高输出驱动器，指定为100-
加载 - 比前几代低功耗位管更低的本底噪声
TLE2064M功能图
TLE2064M规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 通道数 | 4 |
| 电源总电压(+ 5v = 5，±5v = 10)(最大)(V) | 36 |
| 电源总电压(+ 5v = 5，±5v = 10) (min) (V) | 7 |
| 轨到轨 | In to V+ |
| GBW(类型)(MHz) | 2 |
| 转换速率(类型)(V/µs) | 3.4 |
| Vos(25°C时的失调电压)(最大)(mV) | 6 |
| 每通道Iq(类型)(mA) | 0.312 |
| 1 kHz时的Vn(型)(nV√Hz) | 40 |
| 评级 | Military |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 125 |
| 偏置漂移(类型)(µV/°C) | 6 |
| 输入偏置电流(最大)(pA) | 60 |
| CMRR(类型)(dB) | 90 |
| 输出(类型)(A) | 0.045 |
| 体系结构 | FET |
| 输入共模净空(到负电源)(类型)(V) | 3 |
| 输入共模净空(对正电源)(类型)(V) | 1 |
| 输出摆幅净空(到负电源)(类型)(V) | 1.3 |
| 输出摆幅净空(对正电源)(型)(V) | -1.3 |
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