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UCC21739-Q1产品规格_产品特征_原装现货

IC先生 网络 127 2023-11-19 17:07:25

UCC21739-Q1是一款电隔离单通道栅极驱动器,专为高达990 v直流工作电压的SiC mosfet和igbt设计,具有先进的保护功能,一流的动态性能和稳健性。UCC21739-Q1具有高达±10-A的峰值源和汇电流。

输入端与输出端采用SiO2电容隔离技术隔离,支持高达700 kvrms的工作电压,6 kvpk的浪涌抗扰度基本隔离,隔离屏障寿命超过40年,同时提供低零件间偏度和>150 v /ns的共模抗扰度(CMTI)。。

UCC21739-Q1包括最先进的保护功能,如快速过流和短路检测、分流电流传感支持、故障报告、有源米勒钳和输入和输出侧电源UVLO,以优化SiC和IGBT开关行为和鲁棒性。隔离模拟PWM传感器可用于更容易的温度或电压检测,进一步增加驱动器的多功能性,简化系统设计工作,尺寸和成本。


UCC21739-Q1


UCC21739-Q1的特性

  • 3-kVRMS单通道隔离栅极驱动器
  • AEC-Q100符合汽车应用要求
  • 高达990 v的SiC mosfet和igbtpk
  • 33v最大输出驱动电压(VDD-VEE)
  • ±10-A drive strength and split output
  • 150-V/ns最小CMTI
  • 270-ns响应时间快速过流保护
  • 外置主动铣床夹具
  • 内部2级关闭故障发生时
  • 隔离模拟传感器与PWM输出
    • 温度传感与NTC, PTC或热二极管
    • 高压直流或相电压
  • 报警故障定位测试接通过电流并复位RST/ EN
  • 快速启用/禁用响应RST/ EN
  • Reject <40-ns noise transient and pulse on input pins
  • 电源在RDY上良好的12v VDD UVLO
  • 输入/输出过/欠射瞬态电压抗扰度高达5v
  • 130-ns(最大)传播延迟和30-ns(最大)脉冲/部分偏斜
  • SOIC-16 DW package with creepage and clearance distance > 8 mm
  • Operating junction temperature –40°C to 150°C

UCC21739-Q1功能图

UCC21739-Q1


UCC21739-Q1规格参数

产品属性属性值
通道数1
隔离评级Basic
耐隔离电压(VISO) (Vrms)3000
工作隔离电压(VIOWM) (Vrms)990
暂态隔离电压(VPK)4242
电源开关IGBT, SiCFET
峰值输出电流(A)10
特性Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off
输出VCC/VDD (max) (V)33
输出VCC/VDD (min) (V)13
输入VCC (min) (V)3
输入VCC (max) (V)5.5
传播延迟时间(µs)0.09
输入阈值CMOS
工作温度范围(℃)-40 to 125
评级Automotive
母线电压(最大)(V)990
上升时间(ns)33
下降时间(ns)27
欠压闭锁(类型)(V)12
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