LM5109B-Q1前往购买
LM5109B-Q1产品规格_产品特征_原装供应
IC先生 网络 122 2023-11-19 16:06:36
LM5109B-Q1 是一款具有成本效益的高电压栅极驱动器，设计用于驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET。悬空高侧驱动器能够在高达 90V 的电源轨电压下工作。输出通过兼容 TTL/CMOS 的逻辑输入阈值独立控制。稳健可靠的电平转换技术同时拥有高运行速度和低功耗特性，并且可提供从控制输入逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。该器件采用耐热增强型 WSON(8) 封装。
LM5109B-Q1的特性
- 符合汽车类 应用标准
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果
- 器件温度 1 级
- 器件人体放电模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 1C
- 器件组件充电模型 (CDM) ESD 分类等级 C4A
- 可驱动高侧和低侧 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
- 1A 峰值输出电流（1.0A 灌电流/1.0A 拉电流）
- 独立的晶体管-晶体管逻辑电路/互补金属氧化物半导体 (TTL/CMOS) 兼容输入
- 自举电源电压高达 108V（直流）
- 短暂传播时间（典型值为 30ns）
- 可以 15ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载
- 优异的传播延迟匹配（典型值为 2ns)
- 电源轨欠压锁定
- 低功耗
- 耐热增强型晶圆级小外形无引线 (WSON)-8 封装
应用
- 推挽转换器
- 半桥和全桥电源转换器
- 固态电机驱动器
- 双开关正向电源转换器
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LM5109B-Q1功能图
LM5109B-Q1规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 母线电压(最大)(V) | 90 |
| 电源开关 | MOSFET |
| 输入VCC (min) (V) | 8 |
| 输入VCC (max) (V) | 14 |
| 峰值输出电流(A) | 1 |
| 工作温度范围(℃) | -40 to 125 |
| 欠压闭锁(类型)(V) | 8 |
| 评级 | Automotive |
| 传播延迟时间(µs) | 0.03 |
| 上升时间(ns) | 15 |
| 下降时间(ns) | 15 |
| 智商(mA) | 0.01 |
| 输入阈值 | TTL |
| 通道输入逻辑 | TTL |
| HS引脚(V)负电压处理 | -1 |
| 驱动程序配置 | Dual inputs |
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