LM5114前往购买
LM5114中文参数_产品特点_原装供应
IC先生 网络 162 2023-11-19 09:02:22
LM5114设计用于驱动升压型配置的低侧mosfet或驱动隔离拓扑中的次级同步mosfet。LM5114具有强大的吸收电流能力，可以并联驱动多个场效应管。LM5114还具有驱动低侧增强模式氮化镓(GaN)场效应管所需的功能。LM5114提供反相和非反相输入，以满足在单一器件类型中对反相和非反相栅极驱动的要求。LM5114的输入与TTL/CMOS逻辑兼容，无论VDD电压如何，都能承受高达14 V的输入电压。LM5114具有分闸输出，可灵活地独立调节通断和关断强度。LM5114具有快速的开关速度和最小的传播延迟，便于高频操作。LM5114提供6引脚SOT-23封装和6引脚WSON封装，带外露焊盘以帮助散热。
LM5114的特性
- 独立的源和汇输出
可控的上升和下降时间 - 4v至12.6 v单电源
- 7.6 a /1.3 a峰值吸收和源驱动电流
- 0.23-Ω Open-drain Pulldown Sink Output
- 2-Ω Open-drain Pullup Source Output
- 12-ns(典型)传输延迟
- 反相与匹配延迟时间
非反相输入 - TTL/CMOS逻辑输入
- 0.68 v输入迟滞
- 高达14v的逻辑输入(不管VDD电压)
- 输入电容:2.5 pf(典型)
- –40°C to 125°C Operating Temperature Range
- 引脚对引脚兼容MAX5048
- 6-Pin SOT-23
LM5114功能图
LM5114规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 通道数 | 1 |
| 电源开关 | GaNFET, MOSFET |
| 峰值输出电流(A) | 7.6 |
| 输入VCC (min) (V) | 4 |
| 输入VCC (max) (V) | 12.6 |
| 特性 | Controllable Rise and Fall Times |
| 工作温度范围(℃) | -40 to 125 |
| 上升时间(ns) | 12 |
| 下降时间(ns) | 3 |
| 传播延迟时间(µs) | 0.012 |
| 输入阈值 | CMOS, TTL |
| 通道输入逻辑 | Inverting, Non-Inverting |
| 输入负电压(V) | 0 |
| 评级 | Catalog |
| 欠压闭锁(类型)(V) | 3 |
| 驱动程序配置 | Low Side |
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