UCC27200-Q1中文参数_功能特性_现货专卖
IC先生 网络 136 2023-11-19 14:00:09
UCC2720x-Q1系列高频n沟道MOSFET驱动器包括一个120 v自激二极管和具有独立输入的高侧和低侧驱动器,以实现最大的控制灵活性。这允许n沟道MOSFET控制在半桥,全桥,双开关正向和有源钳位正向变换器。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并且在彼此的通断和关断之间匹配1ns。
片上自举二极管消除了外部分立二极管。高侧和低侧驱动器都提供欠压锁定,如果驱动电压低于指定阈值,则强制输出低。。
UCC2720x-Q1提供了两个版本- UCC27200-Q1具有高抗噪声CMOS输入阈值,UCC27201-Q1具有ttl兼容阈值。。
这两款器件均采用8引脚SO PowerPAD (DDA)封装。
UCC27200-Q1的特性
- 适用于汽车应用
- AEC-Q100合格,结果如下:
- 设备温度等级1:
–40°C to 125°C Ambient Operating Temperature Range - 设备HBM ESD分类级别2
- 设备CDM ESD分类等级C5
- 设备温度等级1:
- 驱动高侧和低侧配置的两个n沟道mosfet
- 最大启动电压:120v
- 最大VDD电压:20v
- On-Chip 0.65-V VF, 0.6-Ω RD Bootstrap Diode
- 工作频率大于1mhz
- 20ns传播延迟时间
- 3-A吸收,3-A源输出电流
- 8-ns上升和7-ns下降时间与1000-pF负载
- 1-ns延迟匹配
- Specified from –40°C to 140°C (Junction Temperature)
所有商标均为其各自所有者的财产。
UCC27200-Q1功能图
UCC27200-Q1规格参数
产品属性 | 属性值 |
---|---|
母线电压(最大)(V) | 110 |
电源开关 | MOSFET |
输入VCC (min) (V) | 8 |
输入VCC (max) (V) | 17 |
峰值输出电流(A) | 3 |
工作温度范围(℃) | -40 to 125 |
欠压闭锁(类型)(V) | 8 |
评级 | Automotive |
传播延迟时间(µs) | 0.02 |
上升时间(ns) | 8 |
下降时间(ns) | 7 |
智商(mA) | 0.001 |
输入阈值 | CMOS |
通道输入逻辑 | CMOS |
HS引脚(V)负电压处理 | -5 |
驱动程序配置 | Noninverting |
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