LM5100B前往购买
LM5100B中文参数_产品特征_现货出售
IC先生 网络 59 2023-11-19 12:52:01
LM5100A/B/C和LM5101A/B/C高压栅极驱动器设计用于以同步降压或半桥配置驱动高侧和低侧n沟道mosfet。浮动高侧驱动器能够在高达100v的电源电压下工作。A版本提供完整的3-A栅极驱动，而B和C版本分别提供2a和1a。输出由CMOS输入阈值(LM5100A/B/C)或TTL输入阈值(LM5101A/B/C)独立控制。。
所述集成高压二极管用于对所述高侧栅极驱动自举电容器充电。一个强大的电平转换器在高速运行的同时消耗低功率，并提供从控制逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。在低侧和高侧电源轨上均设有欠压闭锁。这些器件有标准SOIC-8引脚、SO PowerPAD-8引脚和WSON-10引脚封装。LM5100C和LM5101C也提供MSOP-PowerPAD-8封装。LM5101A也提供WSON-8引脚封装。
LM5100B的特性
- 驱动高侧和低侧n通道
场效电晶体 - 独立的高、低驱动逻辑输入
- 自举供电电压高达118v DC
- 快速传播时间(典型25秒)
- 驱动1000-pF负载与8-ns上升和下降
次 - 优秀的传播延迟匹配(3ns)
典型的) - 供电轨道欠压锁定
- 低功耗
- 引脚兼容HIP2100/HIP2101
LM5100B功能图
LM5100B规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 母线电压(最大)(V) | 100 |
| 电源开关 | MOSFET |
| 输入VCC (min) (V) | 9 |
| 输入VCC (max) (V) | 14 |
| 峰值输出电流(A) | 2 |
| 工作温度范围(℃) | -40 to 125 |
| 欠压闭锁(类型)(V) | 8 |
| 评级 | Catalog |
| 传播延迟时间(µs) | 0.025 |
| 上升时间(ns) | 10 |
| 下降时间(ns) | 10 |
| 智商(mA) | 0.01 |
| 输入阈值 | CMOS |
| 通道输入逻辑 | CMOS |
| HS引脚(V)负电压处理 | -1 |
| 驱动程序配置 | Dual, Independent |
热点资讯
周度热榜
月度热榜
年度热榜
推荐商品
猜你想看
版权声明：
部分文章信息来源于网络以及网友投稿，本网站只负责对文章进行整理、排版、编辑，是出于传递更多信息之目的，并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性，如本站文章和转稿涉及版权等问题，请作者及时联系本站，我们会尽快处理。
文章标签:
芯片
热点资讯
