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TPS28225中文参数_功能特性_现货出售
IC先生 网络 104 2023-11-19 17:04:38
这是一个高速驱动器的n通道互补驱动功率mosfet具有自适应死区时间控制。该驱动器针对各种大电流单相和多相dc - dc转换器进行了优化。该解决方案具有效率高、体积小、电磁干扰低的特点。
通过高达8.8 v的栅极驱动电压、14ns的自适应死区时间控制、14ns的传播延迟以及大电流2-A源和4-A汇聚驱动能力，实现了效率。下栅极驱动器的0.4-Ω阻抗使功率MOSFET的栅极保持在其阈值以下，并确保在高dV/dt相位节点转换时无穿透电流。由内部二极管充电的自引导电容器允许在半桥配置中使用n沟道mosfet。。
TPS28225的特性
- 驱动两个n沟道mosfet，具有14ns自适应死区时间
- 宽栅极驱动电压:4.5 V至8.8 V，在7 V至8 V时效率最高
- 宽电源系统列车输入电压:3v至27v
- 宽输入PWM信号:2.0 V至13.2 V振幅
- Capable to Drive MOSFETs with ≥40-A Current per Phase
- 高频工作:14-ns传播延迟和10-ns上升/下降时间允许F西南 – 2 MHz
- Capable to Propagate <30-ns Input PWM Pulses
- Low-Side Driver Sink On-Resistance (0.4 Ω) Prevents dV/dT Related Shoot-Through Current
- 3-状态PWM输入功率级关机
- 节省空间使能(输入)和电源良好(输出)信号在同一引脚
- 热关机
- UVLO保护
- 内部自举二极管
- 经济型SOIC-8和热增强型3-mm x 3-mm ddn -8封装
- 高性能替代流行的三状态输入驱动器
TPS28225功能图
TPS28225规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 母线电压(最大)(V) | 24 |
| 电源开关 | MOSFET |
| 输入VCC (min) (V) | 4.5 |
| 输入VCC (max) (V) | 8 |
| 峰值输出电流(A) | 6 |
| 工作温度范围(℃) | -40 to 125 |
| 欠压闭锁(类型)(V) | 3.5 |
| 评级 | Catalog |
| 传播延迟时间(µs) | 0.014 |
| 上升时间(ns) | 10 |
| 下降时间(ns) | 5 |
| 智商(mA) | 0.35 |
| 输入阈值 | TTL |
| 通道输入逻辑 | TTL |
| HS引脚(V)负电压处理 | 0 |
| 特性 | Synchronous Rectification |
| 驱动程序配置 | Single |
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