LM5102产品规格_产品功能_原厂出售
IC先生 网络 123 2023-11-20 10:08:55
LM5102高压栅极驱动器设计用于驱动同步降压或半桥配置的高侧和低侧n沟道mosfet。浮动高侧驱动器能够在高达100v的电源电压下工作。输出是独立控制的。每个输出的上升沿可以用编程电阻独立地延迟。提供一个集成的高压二极管对高侧栅极驱动自举电容器充电。一个强大的电平移位器在高速运行的同时消耗低功率,并提供从控制逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。低侧和高侧电源轨均设有欠压锁定。该器件有标准的VSSOP 10引脚和WSON 10引脚封装。
LM5102的特性
- 驱动高侧和低侧n沟道MOSFET
- 独立可编程的高、低侧上升沿延迟
- 自举供电电压范围高达118v直流
- 快速关断传播延迟(典型25ns)
- 驱动1000-pF负载15-ns上升和下降时间
- 供电轨道欠压锁定
- 低功耗
- 计时器可以在序列中途终止
LM5102功能图
LM5102规格参数
产品属性 | 属性值 |
---|---|
母线电压(最大)(V) | 100 |
电源开关 | MOSFET |
输入VCC (min) (V) | 9 |
输入VCC (max) (V) | 14 |
峰值输出电流(A) | 2 |
工作温度范围(℃) | -40 to 125 |
欠压闭锁(类型)(V) | 8 |
评级 | Catalog |
传播延迟时间(µs) | 0.035 |
上升时间(ns) | 10 |
下降时间(ns) | 10 |
智商(mA) | 0.01 |
输入阈值 | TTL |
通道输入逻辑 | TTL |
HS引脚(V)负电压处理 | -1 |
驱动程序配置 | Dual, Independent |
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