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LMG2100R044中文规格_产品特性_现货出售
IC先生 网络 205 2023-11-20 11:15:46
LMG2100R044 器件是一款 80V 连续 100V 脉冲式 35A 半桥功率级，具有集成栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET。该器件包含两个 100V GaN FET，这两者由采用半桥配置的同一高频 80V GaN FET 驱动器进行驱动。
GaN FET 在功率转换方面优势极为显著，因为它们的反向恢复接近零，而且输入电容 C ISS 和输出电容 C OSS 都极小。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。LMG2100R044 器件采用 5.5mm × 4.5mm × 0.89mm 无铅封装，可轻松安装在 PCB 上。
该器件的输入与 TTL 逻辑兼容，无论 VCC 电压如何，都能够承受高达 12V 的输入电压。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式 GaN FET 的栅极电压处于安全的工作范围内。
该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于需要小尺寸、高频、高效运行的应用来说，该器件是理想的解决方案。
LMG2100R044的特性
- 集成 4.4mΩ GaN FET 和驱动器
- 80V 连续 100V 脉冲式电压额定值
- 封装经过优化，便于 PCB 布局
- 5V 外部辅助电源
- 支持 3.3V、5V 和 12V 输入逻辑电平
- 高压摆率开关，低振铃
- 栅极驱动器支持高达 10MHz 的开关频率
- 内部自举电源电压钳位，可防止 GaN FET 过驱动
- 电源轨欠压锁定保护
- 出色的传播延迟（典型值 29.5ns）和匹配（典型值 2ns）
- 低功耗
- 外露式顶部 QFN 封装实现顶面散热
- 大型 GND 焊盘实现底面散热
LMG2100R044规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS (max) (V) | 100 |
| RDS(上)(mΩ) | 4.4 |
| ID (max) (A) | 35 |
| 特性 | Built-in bootstrap diode, Half-bridge, Top-side cooled |
| 评级 | Catalog |
| 工作温度范围(℃) | -40 to 125 |
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