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LMG3526R030中文参数_功能图_现货出售
IC先生 网络 48 2023-11-20 10:33:28
LMG3526R030 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器，可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率。
LMG3526R030 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成特性与 TI 的低电感封装技术相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之间，这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。
高级功能包括数字温度报告、故障检测和零电压检测 (ZVD)。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出进行报告。报告的故障包括过热、过流和 UVLO 监控。ZVD 功能可在实现零电压开关 (ZVS) 时提供来自 ZVD 引脚的脉冲输出。
LMG3526R030的特性
- 具有集成栅极驱动器的 650V GaN-on-Si FET
- 集成高精度栅极偏置电压
- 200V/ns FET 释抑
- 23.6MHz 开关频率
- 20V/ns 至 150V/ns 压摆率，用于优化开关性能和缓解 EMI
- 在 7.5V 至 18V 电源下工作
- 强大的保护
- 响应时间少于 100ns 的逐周期过流和锁存短路保护
- 硬开关时可承受 720V 浪涌
- 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
- 高级电源管理
- 数字温度 PWM 输出
- 顶部冷却 12mm × 12mm VQFN 封装将电气路径和散热路径分开，可实现更低的电源环路电感
- 有助于实现软开关转换器的零电压检测功能
LMG3526R030功能图
LMG3526R030规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS (max) (V) | 650 |
| RDS(上)(mΩ) | 30 |
| ID (max) (A) | 55 |
| 特性 | Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting, Top-side cooled, Zero voltage detection |
| 评级 | Catalog |
| 工作温度范围(℃) | -40 to 150 |
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