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CSD13306W规格参数_产品特征_原装现货
IC先生 网络 92 2023-11-23 08:00:38
这款 8.8mΩ、12V N 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.5 mm × 1mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。
CSD13306W的特性
- 超低导通电阻
- 低 Qg 和 Qgd
- 1mm x 1.5mm 小尺寸封装
- 低高度（高度为 0.62mm）
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
应用范围
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护
All trademarks are the property of their respective owners.
CSD13306W功能图
CSD13306W规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | 12 |
| 配置 | Single |
| VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 10.2 |
| IDM -脉冲漏极电流(最大)(A) | 44 |
| QG(型)(nC) | 8.6 |
| QGD(型)(nC) | 3 |
| QGS(类型)(nC) | 1.1 |
| vg (V) | 10 |
| VGSTH类型(type) (V) | 1 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 3.5 |
| ID -套餐有限公司(A) | 3.5 |
| 逻辑电平 | Yes |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
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芯片
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