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CSD17573Q5B规格参数_产品特性_原装供应

IC先生 网络 139 2023-11-23 10:08:19

此 0.84mΩ、30V、SON 5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。


CSD17573Q5B


CSD17573Q5B的特性

  • 低 Qg 和 Qgd
  • 超低导通电阻 RDS(on)
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • SON 5mm × 6mm 塑料封装

CSD17573Q5B功能图

CSD17573Q5B


CSD17573Q5B规格参数

产品属性属性值
VDS公司(V)30
配置Single
VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ)1.45
VGS=10 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ)1
IDM -脉冲漏极电流(最大)(A)400
QG(型)(nC)49
QGD(型)(nC)11.9
QGS(类型)(nC)17.1
vg (V)20
VGSTH类型(type) (V)1.4
ID -硅限制在TC=25°C (A)332
ID -套餐有限公司(A)100
逻辑电平Yes
工作温度范围(℃)-55 to 150
评级Catalog
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文章标签: 芯片
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