CSD17575Q3前往购买
CSD17575Q3中文参数_产品功能_原装现货
IC先生 网络 127 2023-11-23 15:19:14
这款 1.9mΩ，30V，SON 3×3 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
顶视图 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 45°C/W，这是在一块厚度为 0.060 英寸的 FR4 印刷电路板 (PCB) 上的 1 平方英寸 2 盎司铜过渡垫片上测得的典型值。最大 RθJC = 1.5°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
CSD17575Q3的特性
- 低 Qg 和 Qgd
- 低 RDS(on)
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
应用
- 用于网络互联，电信和计算系统的负载点同步降压转换器
- 已针对同步场效应晶体管 (FET) 应用进行优化
CSD17575Q3功能图
CSD17575Q3规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | 30 |
| 配置 | Single |
| VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 3.2 |
| VGS=10 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 2.3 |
| IDM -脉冲漏极电流(最大)(A) | 240 |
| QG(型)(nC) | 23 |
| QGD(型)(nC) | 5.4 |
| QGS(类型)(nC) | 8.5 |
| vg (V) | 20 |
| VGSTH类型(type) (V) | 1.4 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 182 |
| ID -套餐有限公司(A) | 60 |
| 逻辑电平 | Yes |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
热点资讯
周度热榜
月度热榜
年度热榜
推荐商品
猜你想看
版权声明：
部分文章信息来源于网络以及网友投稿，本网站只负责对文章进行整理、排版、编辑，是出于传递更多信息之目的，并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性，如本站文章和转稿涉及版权等问题，请作者及时联系本站，我们会尽快处理。
文章标签:
芯片
热点资讯
