CSD19534Q5A前往购买
CSD19534Q5A规格参数_产品特点_现货专卖
IC先生 网络 110 2023-11-23 17:17:52
这款 100V，12.6mΩ，SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。
顶视图 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。 最大 RθJC = 2.0°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%CSD19534Q5A的特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
应用范围
- 初级侧电信应用
- 电机控制
CSD19534Q5A功能图
CSD19534Q5A规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | 100 |
| 配置 | Single |
| VGS=10 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 15.1 |
| IDM -脉冲漏极电流(最大)(A) | 137 |
| QG(型)(nC) | 17 |
| QGD(型)(nC) | 3.2 |
| QGS(类型)(nC) | 5.1 |
| vg (V) | 20 |
| VGSTH类型(type) (V) | 2.8 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 44 |
| ID -套餐有限公司(A) | 40 |
| 逻辑电平 | No |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
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芯片
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