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CSD19535KCS产品参数_产品特性_原厂出售
IC先生 网络 147 2023-11-23 17:19:56
这款 100V，3.1mΩ，TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。
CSD19535KCS的特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 晶体管 (TO)-220 塑料封装
应用范围
- 次级侧同步整流器
- 电机控制
CSD19535KCS功能图
CSD19535KCS规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | 100 |
| 配置 | Single |
| VGS=10 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 3.6 |
| IDM -脉冲漏极电流(最大)(A) | 400 |
| QG(型)(nC) | 78 |
| QGD(型)(nC) | 13 |
| QGS(类型)(nC) | 25 |
| vg (V) | 20 |
| VGSTH类型(type) (V) | 2.7 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 187 |
| ID -套餐有限公司(A) | 150 |
| 逻辑电平 | No |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 175 |
| 评级 | Catalog |
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芯片
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