CSD19503KCS前往购买
CSD19503KCS产品参数_功能图_原装原厂
IC先生 网络 74 2023-11-23 08:54:02
这款 80V，7.6mΩ，TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 最大 RθJC = 0.8°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100µs，占空比 ≤ 1%
CSD19503KCS的特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 晶体管 (TO)-220 塑料封装
应用范围
- 次级侧同步整流器
- 电机控制
CSD19503KCS功能图
CSD19503KCS规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | 80 |
| 配置 | Single |
| VGS=10 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 9.2 |
| IDM -脉冲漏极电流(最大)(A) | 247 |
| QG(型)(nC) | 28 |
| QGD(型)(nC) | 5.4 |
| QGS(类型)(nC) | 9.8 |
| vg (V) | 20 |
| VGSTH类型(type) (V) | 2.8 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 94 |
| ID -套餐有限公司(A) | 100 |
| 逻辑电平 | No |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 175 |
| 评级 | Catalog |
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芯片
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