CSD19502Q5B前往购买
CSD19502Q5B规格参数_产品特点_原装销售
IC先生 网络 115 2023-11-23 17:50:35
这款 3.4mΩ，80V，SON 5mm x 6mm NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。
CSD19502Q5B的特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 逻辑电平
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- SON 5mm × 6mm 塑料封装
CSD19502Q5B功能图
CSD19502Q5B规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | 80 |
| 配置 | Single |
| VGS=10 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 4.1 |
| IDM -脉冲漏极电流(最大)(A) | 400 |
| QG(型)(nC) | 48 |
| QGD(型)(nC) | 8.6 |
| QGS(类型)(nC) | 14 |
| vg (V) | 20 |
| VGSTH类型(type) (V) | 2.7 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 157 |
| ID -套餐有限公司(A) | 100 |
| 逻辑电平 | No |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
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芯片
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