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CSD17483F4中文规格_产品功能_原装供应
IC先生 网络 119 2023-11-23 13:33:34
该 200mΩ、30V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。
CSD17483F4的特性
- 低导通电阻
- 低 Qg 和 Qgd
- 低阈值电压
- 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）
- 1.0mm × 0.6mm
- 超薄型封装
- 厚度为 0.36mm
- 集成型 ESD 保护二极管
- 额定值 > 4kV HBM
- 额定值 > 2kV CDM
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
CSD17483F4功能图
CSD17483F4规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | 30 |
| 配置 | Single |
| VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 260 |
| VGS=10 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 230 |
| IDM -脉冲漏极电流(最大)(A) | 5 |
| QG(型)(nC) | 1.01 |
| QGD(型)(nC) | 0.13 |
| QGS(类型)(nC) | 0.22 |
| vg (V) | 12 |
| VGSTH类型(type) (V) | 0.85 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 1.5 |
| ID -套餐有限公司(A) | 1.5 |
| 逻辑电平 | Yes |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
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芯片
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