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CSD13381F4中文规格_产品特点_现货专卖
IC先生 网络 51 2023-11-23 17:32:00
此 140mΩ、12V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够尽可能减小许多手持式和移动应用中的空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。
CSD13381F4的特性
- 低导通电阻
- 低 Qg 和 Qgd
- 低阈值电压
- 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）
- 1.0mm × 0.6mm
- 超薄型封装
- 最大高度：0.36mm
- 集成型 ESD 保护二极管
- 额定值 > 4kV HBM
- 额定值 > 2kV CDM
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
CSD13381F4功能图
CSD13381F4规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | 12 |
| 配置 | Single |
| VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 180 |
| IDM -脉冲漏极电流(最大)(A) | 7 |
| QG(型)(nC) | 1.06 |
| QGD(型)(nC) | 0.14 |
| QGS(类型)(nC) | 0.23 |
| vg (V) | 8 |
| VGSTH类型(type) (V) | 0.85 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 2.1 |
| ID -套餐有限公司(A) | 2.1 |
| 逻辑电平 | Yes |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
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芯片
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