CSD25213W10前往购买
CSD25213W10规格参数_产品特点_原装供应
IC先生 网络 58 2023-11-23 08:34:31
此器件设计用于在超低高度并具有出色散热特性的尽可能小外形尺寸封装内产生最低的导通电阻和栅极电荷。
顶视图 在 1 in22 盎司纯铜 (Cu) (2 oz.) 且厚度为 0.060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上，RθJA=75°C/W。脉宽 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%受栅极电阻限制。
CSD25213W10的特性
- 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
- 小尺寸封装 1mm x 1mm
- 低高度（高度为 0.62mm）
- 无铅
- 栅 - 源电压钳位
- 栅极静电放电 (ESD) 保护
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
CSD25213W10功能图
CSD25213W10规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| VDS公司(V) | -20 |
| vg (V) | -6 |
| 配置 | Single |
| VGS=4.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 47 |
| VGS=2.5 V(最大值)时的Rds(on) (mΩ) | 67 |
| Id峰值(max) (A) | -16 |
| Id max cont (A) | -1.6 |
| QG(型)(nC) | 2.2 |
| QGD(型)(nC) | 0.14 |
| QGS(类型)(nC) | 0.74 |
| VGSTH类型(type) (V) | -0.85 |
| ID -硅限制在TC=25°C (A) | 1.6 |
| 逻辑电平 | Yes |
| 工作温度范围(℃) | -55 to 150 |
| 评级 | Catalog |
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