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CSD95375Q4M产品参数_功能图_原厂出售

IC先生 网络 107 2023-11-23 13:25:51

CSD95375Q4M NexFET 功率级的设计针对高功率、高密度同步降压转换器中的使用进行了高度优化。 这个产品集成了驱动器集成电路 (IC) 和 NexFET 技术来完善功率级开关功能。 此驱动器 IC 具有一个内置可选二极管仿真功能,此功能可启用断续传导模式 (DCM) 运行来提升轻负载效率。 此外,驱动器 IC 支持 ULQ 模式,此模式支持针对 Windows 8启用连接待机。 借助于 PWM 输入三态,静态电流被减少至 130µA,并支持立即响应。 当 SKIP# 被保持在三态时,电流被减少至 8µA(恢复切换通常需要 20µs)。 这个组合可在小型 3.5 x 4.5mm 外形尺寸封装中实现高电流、高效和高速开关器件。 此外,PCB 封装已经过优化,可帮助减少设计时间并简化总体系统设计的完成。


CSD95375Q4M


CSD95375Q4M的特性

  • 15A 电流时系统效率达 93%
  • 最大额定持续电流 25A,峰值 60A
  • 高频运行(高达 2MHz)
  • 高密度 - 3.5 × 4.5mm 小外形尺寸无引线 (SON) 封装
  • 超低电感封装
  • 系统已优化的印刷电路板 (PCB) 封装
  • 超低静态 (ULQ) 电流模式
  • 与 3.3V 和 5V 脉宽调制 (PWM) 信号兼容
  • 支持强制连续传导模式 (FCCM) 的二极管仿真模式
  • 三态 PWM 输入
  • 集成型自举二极管
  • 击穿保护
  • 符合 RoHS 环保标准 – 无铅端子镀层
  • 无卤素

应用范围

  • 超级本/笔记本 DC/DC 转换器
  • 多相 Vcore 和 DDR 解决方案
  • 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压

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CSD95375Q4M功能图

CSD95375Q4M


CSD95375Q4M规格参数

产品属性属性值
VDS公司(V)20
功率损耗(W)2.2
损耗电流(A)15
配置PowerStage
ID - TA=25°C (A)时的连续漏极电流25
工作温度范围(℃)-40 to 150
特性Diode emulation mode with FCCM, Ultra-low inductance package
评级Catalog
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文章标签: 芯片
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